Твердотельный чип-лазер на кристалле KGd(WO4)2:Nd3+ с торцевой полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности, генерирующий на длине волны 1,35 мкм

Иванов П.С., Мочалов И.В., Сандуленко А.В. Твердотельный чип-лазер на кристалле KGd(WO4)2:Nd3+ с торцевой полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности, генерирующий на длине волны 1,35 мкм // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 12. С. 14–17.

Ivanov P.S., Mochalov I.V., Sandulenko A.V. Solid-state laser chip based on a KGd(WO4)2:Nd3+ crystal with semiconductor end pumping and passive Q-switching, lasing at wavelength 1.35 μm [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2015. V. 82. № 12. P. 14–17.

P. S. Ivanov, I. V. Mochalov, and A. V. Sandulenko, "Solid-state laser chip based on a KGd(WO₄)₂:Nd³⁺ crystal with semiconductor end pumping and passive Q-switching, lasing at wavelength 1.35 μm," Journal of Optical Technology. 82(12), 789-791 (2015). https://doi.org/10.1364/JOT.82.000789

Проведены исследования импульсно-периодического и непрерывного режима работы миниатюрного лазерного излучателя с торцевой полупроводниковой накачкой, работающего на активном элементе кристалла KGd(WO4)2:Nd3+, генерирующего на длине волны 1,35 мкм. Исследованы мощностные характеристики лазера при разных значениях длительностей импульса накачки. накачки. Показано, что в подобном чип-лазере в имульсно-периодическом режиме выходная мощность достигает 0,25 Вт при накачке 1,9 Вт, а в режиме модуляции добротности – 0,06 Вт при накачке 1,9 Вт. Изучено влияние длины оптического резонатора на длительность выходного импульса генерации лазера. Исследованы характеристики лазера, в котором резонатор состоял лишь из двух оптических элементов – активного элемента KGd(WO4)2:Nd3+, на один из торцов которого было нанесено «глухое» зеркало, и пассивного лазерного затвора YAG:V3+, на один из торцов которого было нанесено выходное зеркало. Длина резонатора такого двухэлементного чип-лазера составляла 5 мм. Показано, что в подобном чип-лазере длительность импульса генерации составляет 7 нс и меньше.

Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки Российской Федерации (идентификатор ПНИЭР: RFMEFI58114X0006).