УДК: 535.243.2, 539.23

Исследование клиновидных пленок оптическими методами. Часть II. Эксперименты

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Шаяпов В.Р., Лебедев М.С. Исследование клиновидных пленок оптическими методами. Часть II. Эксперименты // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 7. С. 76–82.

Shayapov V.R., Lebedev M.S. Optical study of wedge-shaped films. Part II. Experiments [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 7. P. 76–82.

Ссылка на англоязычную версию:

V. R. Shayapov and M. S. Lebedev, "Optical study of wedge-shaped films. Part II. Experiments," Journal of Optical Technology. 83(7), 447-451 (2016). https://doi.org/10.1364/JOT.83.000447

Аннотация:

Работа, состоящая из двух частей, посвящена обобщению и анализу различных аспектов проявления клиновидности пленок при исследовании тонкопленочных структур методами эллипсометрии и спектрофотометрии отражения. Вторая часть описывает возможности и ограничения экспериментальных подходов исследования клиновидных пленок. Представлены результаты исследования пленок, полученных методами атомно-слоевого и плазмохимического осаждения. Изучены возможности восстановления оптических констант и толщины клиновидных пленок в методе эллипсометрии. Предложена простая спектрофотометрическая методика для рутинного исследования толстых клиновидных пленок.

Ключевые слова:

пленки, клиновидность, атомно-слоевое осаждение, спектры отражения

Благодарность:

Авторы выражают искреннюю благодарность Ю.М. Румянцеву и М.Л. Косиновой за помощь и поддержку в работе, за предоставленные для исследований образцы.

Коды OCIS: 240.0310, 240.2130, 240.6490, 310.6860

Список источников:

1. Шаяпов В.Р., Аюпов Б.М. Исследование клиновидных пленок оптическими методами. Часть I. Моделирование // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 7. С. 68–75.
2. Pliskin W.A., Conrad E.E. Nondestructive determination of thickness and refractive index of transparent films // IBM J. Res. Develop. 1964. V. 8. № 1. P. 43–45.
3. Mishima T., Kao K.C. Detection of thickness uniformity of film layers in semiconductors devices by spatially resolved ellipsointerferometry // Opt. Eng. 1982. V. 21. P. 1074–1078.
4. El Rhaleb H., Cella N., Roger J.P., Fournier D., Boccara A.C., Zuber A. Beam size and collimation effects in spectroscopic ellipsometry of transparent films with optical thickness inhomogeneity // Thin Solid Films. 1996. V. 288. P. 125–131.
5. Zahraman K., Nsouli B., Roumie M., Thomas J.P., Danel S. On the optimization of the PIXE technique for thickness uniformity control of ultra-thin chromium layers deposited onto large surface quartz substrate // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2006. V. 249. P. 447–450.
6. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Михайлов Н.Н. Эллипсометрия – прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением // Российские нанотехнологии. 2009. Т. 4. № 3–4. С. 72–84. http://oceanoptics.com/product/nanocalc/
7. Ayupov B.M., Gritsenko V.A., Wong H., Kim C.W. Accurate ellipsometric measurement of refractive index and thickness of ultrathin oxide film // JES. 2006. V. 153. № 12. P. F277–F282.
8. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1978. 424 с.
9. Holmes D.A. On the calculation of thin film refractive index and thickness by ellipsometry // Appl. Opt. 1967. V. 6. № 1. P. 168–169.

10. Аюпов Б.М., Зарубин И.А., Лабусов В.А., Суляева В.С., Шаяпов В.Р. Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии // Оптический журнал. 2011. Т. 78. № 6. С. 3–9.
11. Аюпов Б.М., Румянцев Ю.М., Шаяпов В.Р. Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии // Поверхность. 2010. № 3. С. 452–457.
12. Puurunen R.L. Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for the trimethylaluminum/water process // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 121301–121353.
13. Kouda M., Ozawa K., Kakushima K., Ahmet P., Iwai H., Urabe Y., Yasuda T. Preparation and electrical characterization of CeO2 films for gate dielectrics application: Comparative study of chemical vapor deposition and atomic layer deposition processes // Japan. J. Appl. Phys. 2011. V. 50. P. 10PA06–1–4.
14. Petrik P., Gumprecht T., Nutsch A., Roeder G., Lemberger M., Juhasz G., Polgar O., Major C., Kozma P., Janosov M., Fodor B., Agocs E., Fried M. Comparative measurements on atomic layer deposited Al2O3 thin films using ex situ table top and mapping ellipsometry, as well as X-ray and VUV reflectometry // Thin Solid Films. 2013. V. 541. P. 131–135.