DOI: 10.17586/1023-5086-2020-87-01-37-44
УДК: 621.382, 621.383.5, 535.231.62
Применение эквивалентной шуму разности температур для сравнения фотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Козлов А.И., Новоселов А.Р., Демьяненко М.А., Овсюк В.Н. Применение эквивалентной шуму разности температур для сравнения фотоприемников сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами // Оптический журнал. 2020. Т. 87. № 1. С. 37–44. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-01-37-44
Kozlov A.I., Novoselov A.R., Demiyanenko M.A., Ovsyuk V.N. Using the noise-equivalent temperature difference to compare superlarge photoreceivers based on quantum-well multilayer structures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2020. V. 87. № 1. P. 37–44. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-01-37-44
A. I. Kozlov, A. R. Novoselov, M. A. Dem’yanenko, and V. N. Ovsyuk, "Using the noise-equivalent temperature difference to compare superlarge photoreceivers based on quantum-well multilayer structures," Journal of Optical Technology. 87(1), 29-35 (2020). https://doi.org/10.1364/JOT.87.000029
Развита методология анализа температурного разрешения фотоприемников дальнего и среднего инфракрасного диапазонов. Обсуждаются особенности создания кремниевых мультиплексоров для таких фотоприемников. Анализируется эквивалентная шуму разность температур инфракрасных фотоприемников на основе кремниевых мультиплексоров с кадровым накоплением для фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми ямами. Разработанные кремниевые мультиплексоры сравниваются с целью применения фоточувствительных кристаллов, в том числе имеющих повышенные темновые токи, для создания фотоприемников инфракрасного диапазона с температурным разрешением на уровне характеристик подобных фотоприемников ведущих компаний. Структурно-технологические принципы создания мозаичных фотоприемников развиты для случая сверхвысокой размерности. Рассмотрен достигнутый технологический уровень прецизионной микросборки кристаллов субмодулей в мозаичные фотоприемники. Предложены методы формирования мультиспектральной характеристики фоточувствительности мозаичных фотоприемников. Выполнен сравнительный анализ размеров «слепых зон» разных определяющих материалов.
инфракрасный мозаичный фотоприемник сверхвысокой размерности, кремниевый мультиплексор, сверхрешетки, фотоприемник на основе многослойных структур с квантовыми ямами
Благодарность:Авторы выражают благодарность академикам РАН А.В. Латышеву и А.Л. Асееву за поддержку и обсуждение представленных исследований, канд. техн. наук В.Н. Федоринину за обсуждения реализации и применения МФП, канд. техн. наук Б.И. Фомину за изготовление КМ на базе ИФП СО РАН, докторам физ.-мат. наук Ю.Г. Сидорову и М.В. Якушеву, канд. физ.-мат. наук В.В. Васильеву за обсуждение свойств КРТ, А.П. Савченко за обсуждение параметров МСКЯ и СР, П.Р. Машевичу и А.А. Романову за действенную помощь при изготовлении КМ на базе АО «Ангстрем», В.Н. Гаштольду и Н.В. Сущевой за поддержку и помощь при изготовлении КМ на базе «АО НПО “Восток”».
Коды OCIS: 040.3060, 110.3080, 130.5990
Список источников:1. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Оптимизация параметров системы «инфракрасный фоточувствительный элемент на основе многослойных структур с квановыми ямами — кремниевый мультиплексор фотосигналов» // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 9. С. 59–65.
2. Васильев В.В., Козлов А.И., Марчишин И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 39–45.
3. Kozlowski L.J., Bailey R.B., Cabelli S.C., Cooper D.E., McComas G.D., Vural K., Tennant W.E. 640×480 PACE HgCdTe FPA // Proc. SPIE. Infrared Detectors: State of the Аrt. 1992. V. 1735. P. 163–174.
4. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Овсюк В.Н. Аналитическое сравнение характеристик фотоприемников инфракрасного диапазона на основе фотодиодов HgCdTe и фотодетекторов GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 64–71.
5. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Создание аналого-цифровых кремниевых мультиплексоров сигналов фотоприемников инфракрасного диапазона // Автометрия. 2016. Т. 52. № 6. С. 120–127.
6. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Асеев А.Л. Серия кремниевых мультиплексоров для КРТ-фотодиодов спектрального диапазона 8–16 мкм // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 3. С. 60–67.
7. Козлов А.И., Марчишин И.В., Овсюк В.Н. Кремниевые мультиплексоры 320×256 для инфракрасных фотоприемных устройств на основе КРТ-диодов // Автометрия. 2007. Т. 43. № 4. С. 74–82.
8. Козлов А.И. Особенности проектирования и некоторые реализации кремниевых мультиплексоров для инфракрасных фотоприемников // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 7. С. 19–29.
9. Есаев Д.Г., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Савченко А.П., Фатеев В.А., Шашкин В.В., Сухарев А.В., Падалица А.А., Будкин И.В., Мармалюк А.А. Инфракрасное фотоприемное устройство на основе многослойных структур GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами // Автометрия. 2007. Т. 43. № 4. С. 112–118.
10. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.
11. Козлов А.И. Особенности влияния ΔN и Δμ моделей 1/f-шумов на эквивалентную шуму разность температур инфракрасных фотоприемников // Тез. докл. XIV Российской конф. по физике полупроводников «Полупроводники-2019». 9–13 сентября 2019 г., Новосибирск. С. 446. DOI: 10.34077/Semicond2019-446.
12. Rogalski A. Progress in focal plane array technologies // Progress in Quant. Electron. 2012. № 36. P. 342–473.
13. Новоселов А.Р. Способ формирования граней чипа для мозаичных фотоприемных модулей // Патент России № 2509391. 2014.
14. Новоселов А.Р. Способ уменьшения зазора между чипами в мозаичных фотоприемных модулях // Автометрия. 2016. Т. 52. № 1. С. 116–121.
15. Демьяненко М.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н. Повышение эффективности преобразования изображений в мозаичных микроболометрических приемниках // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 2. С. 60–66.
16. Козлов А.И., Новоселов А.Р., Демьяненко М.А., Овсюк В.Н. О мозаичных инфракрасных фотоприемниках сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами // Тез. докл. Российской конф. по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «Фотоника-2019». 27–31 мая 2019 г., Новосибирск. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2019-140.
17. Козлов А.И., Новоселов А.Р., Демьяненко М.А., Овсюк В.Н. Фундаментальные основы создания мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений // Тез. докл. XIV Российской конф. по физике полупроводников «Полупроводники-2019». 9–13 сентября 2019 г., Новосибирск. Ч.2. С. 447. DOI: 10.34077/Semicond2019-447.