DOI: 10.17586/1023-5086-2022-89-01-82-91
УДК: 535
Морфология монокристаллического кремния, облученного комбинацией миллисекундных и наносекундных лазерных импульсов при изменении времени задержки между ними
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
M. Guo, Y. X. Zhang, N. Li, Y. S. Feng, J. X. Cai, and G. Y. Jin Morphology of monocrystalline silicon irradiated by the combination of millisecond-nanosecond lasers with different delays (Морфология монокристаллического кремния, облученного комбинацией миллисекундных и наносекундных лазерных импульсов при изменении времени задержки между ними) [на англ. яз.] // Оптический журнал. 2022. Т. 89. № 1. С. 82–91. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-01-82-91
M. Guo, Y. X. Zhang, N. Li, Y. S. Feng, J. X. Cai, and G. Y. Jin Morphology of monocrystalline silicon irradiated by the combination of millisecond-nanosecond lasers with different delays (Морфология монокристаллического кремния, облученного комбинацией миллисекундных и наносекундных лазерных импульсов при изменении времени задержки между ними) [in English] // Opticheskii Zhurnal. 2022. V. 89. № 1. P. 82–91. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2022-89-01-82-91
M. Guo, Y. X. Zhang, N. Li, Y. S. Feng, J. X. Cai, and G. Y. Jin, "Morphology of monocrystalline silicon irradiated by the combination of millisecond-nanosecond lasers with different delays," Journal of Optical Technology. 89(1), 58-65 (2022). https://doi.org/10.1364/JOT.89.000058
Экспериментально исследована морфология монокристаллического кремния при облучении в комбинированном режиме миллисекунд–наносекунд. Во время эксперимента были использованы прецизионный точечный термометр для мониторинга, теневой метод измерения эволюции плазмы и металлографическая микроскопия для анализа состояния объекта после эксперимента. Изучены спайность и механизмы абляции монокристаллического кремния при различных плотностях лазерной энергии и изменения временного взаиморасположения импульсов. Анализ показывает, что морфология лазерных повреждений при воздействии наносекундных импульсов представлена в виде небольших ямок с аккуратными краями, в то время как под действием комбинированных лазерных импульсов возникают множественные повреждения в виде трещин, включая как регулярные сколы, так и области неправильных трещин. При комбинированном воздействии миллисекундный импульс осуществляет предварительный нагрев, в результате чего изменяются теплофизические свойства монокристаллического кремния, в частности, коэффициент поглощения.
При изменении времени задержки между миллисекундным и наносекундным импульсами можно варьировать энергетическое взаимодействие между кремнием и наносекундным импульсом, влияя тем самым на эффект повреждения. Полученные данные могут служить справочным материалом по устойчивости кремниевых материалов и устройств на основе кремния к лазерным повреждениям.
комбинированный лазер, монокристаллический кремний, температура, морфология
Коды OCIS: 140.3330
Список источников:1. Li Z., Wang X., Shen Z., et al. Mechanisms for the millisecond laser-induced functional damage to silicon charge-coupled imaging sensors // Appl. Opt. 2015. V. 54. № 3. P. 378–388.
2. Singh A.P., Kapoor A., Tripathi K.N., et al. Laser damage studies of silicon surfaces using ultra-short laser pulses // Optics & Laser Technol. 2002. V. 34. № 1. P. 37–43.
3. Xinyu-Tan, Duanming-Zhang, Boming-Yu, et al. Vaporization effect studying on high-power nanosecond pulsed laser deposition // Physica B. Condensed Matter. 2005. V. 358. № 1–4. P. 86–92.
4. Wang Y., Chen A., Wang Q., et al. Study of signal enhancement in collinear femtosecond-nanosecond doublepulse laser-induced breakdown spectroscopy // Optics & Laser Technol. 2020. № 122. P. 105887.
5. Kupfer R., Quevedo H.J., Smith H.L., et al. Plasma emission characteristics in laser-induced breakdown spectroscopy of silicon with mid-infrared, multi-millijoule, nanosecond laser pulses from a Ho:YLF excitation source // Appl. Opt. 2019. V. 58. № 17. P. 4592–4598.
6. Mahdieh M.H., Momeni A. From single pulse to double pulse ns laser ablation of silicon in water: Photoluminescence enhancement of silicon nanocrystals // Laser Phys. 2014. V. 25. № 1. P. 015901.
7. Momeni A., Mahdieh M.H. Double-pulse nanosecond laser ablation of silicon in water // Laser Phys. Lett. 2015. V. 12. № 7. P. 076102.
8. Zhang X., Lu J., Zhang H.C., et al. Laser-induced periodic surface structure in silicon wafer irradiated by continuous laser // Proc. SPIE. 2019. № 11046. P. 1104635.
9. Lehane C., Kwok H.S. Enhanced drilling using a dual-pulse Nd:YAG laser // Appl. Phys. A. 2001. V. 73. № 1. P. 45–48.
10. Jafarabadi M.A., Mahdieh M.H. Investigation of phase explosion in aluminum induced by nanosecond double pulse technique // Appl. Surface Sci. 2015. № 346. P. 263–269.
11. Lv X., Pan Y., Jia Z., et al. Surface damage induced by a combined millisecond and nanosecond laser // Appl. Opt. 2017. V. 56. № 17. P. 5060–5067.
12. Lv X., Pan Y., Jia Z., et al. Laser-induced damage threshold of silicon under combined millisecond and nanosecond laser irradiation // Appl. Phys. 2017. V. 121. № 11. P. 113102.