DOI: 10.17586/1023-5086-2023-90-12-35-45
УДК: 53.082.52; 621.3.084.2
Разработка модели эффекта послеимпульса в однофотонных лавинных диодах InGaAs/InP, предназначенных для применения в системах квантового распределения ключей
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Филяев А.А., Лосев А.В., Заводиленко В.В., Павлов И.Д. Разработка модели эффекта послеимпульса в однофотонных лавинных диодах на InGaAs/InP, предназначенных для применения в системах квантового распределения ключей // Оптический журнал. 2023. Т. 90. № 12. С. 35–45. https://doi.org/10.17586/10235086202390123545
Filyaev A.A., Losev A.V., Zavodilenko V.V., Pavlov I.D. Development of afterpulse effect model of InGaAs/InP singlephoton avalanche diodes for applying in quantum key distribution systems [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 90. № 12. P. 35–45. http://doi.org/10.17586/10235086202390123545
Предмет исследования. Исследовался шумовой параметр, такой как эффект послеимпульса, который возникает в однофотонных лавинных диодах на арсениде индиягаллия/фосфиде индия при их эксплуатации в составе детектора одиночных фотонов в системах квантового распределения ключей. Цель работы. Разработка моделиэффекта послеимпульса в однофотонных лавинных диодах на арсениде индиягаллия/фосфиде индия для определения истинного значения данного шумового параметра при эксплуатации диода в составе детектора одиночных фотонов в системах квантового распределения ключей. Метод. Для экспериментального измерения вероятности послеимпульса в однофотонных лавинных диодах на арсениде индиягаллия/фосфиде индия использовался специальный стенд, все компоненты которого управляются программным обеспечением, созданным в среде LabVIEW. В основе разработанной модели вероятности послеимпульса лежит немарковский характер данного явления. Основные результаты. Для определения послеимпульса разработаны методика измерений и вероятностная модель, основанная на рекурсивном характере этого эффекта в однофотонных лавинных диодах на арсениде индиягаллия/фосфиде индия. Это позволяет производить оценку истинного значения вероятности послеимпульса по реакции на однократное срабатывание детектора одиночных фотонов с однофотонными лавинными диодами на арсениде индиягаллия/фосфиде индия в своем составе. Проведён анализ подходов к оценке послеимпульса, применяемых в мировой практике для систем квантового распределения ключей. Продемонстрированы преимущества разработанного подхода перед стандартными методами, которые не учитывают немарковскую природу рассматриваемого эффекта. Практическая значимость. Разработан подход к определению вероятности послеимпульса детектора одиночных фотонов на основе однофотонных лавинных диодов на арсениде индиягаллия/фосфиде индия в виде двух моделей — упрощённой и составной, что позволяет достичь компромисса между точностью вычислений и их сложностью для применения таких устройств в системах квантового распределения ключей.
детекторы одиночных фотонов, система квантового распределения ключей, однофотонные лавинные диоды, вероятность послеимпульса
Благодарность:Коды OCIS: 270.5565, 230.5160, 250.1345
Список источников:- Yao N., Yao Q., Xie X. P., Liu Y., Xu P., Fang W., Zheng M.Y., Fan J., Zhang Q., Tong L., Pan J.W. Optimizing upconversion singlephoton detectors for quantum key distribution // Optics Express. 2020. V. 28. № 17. P. 25123–25133. https://doi.org/10.1364/OE.397767
- Yuan Z., Plews A., Takahashi R., Doi K., Tam W., Sharpe A.W., Dixon A.R., Lavelle E., Dynes J.F., Murakami A., Kujiraoka M., Lucamarini M., Tanizawa Y., Sato H., Shields A.J. 10Mb/s quantum key distribution // Journal of Lightwave Technology. 2018. V. 36. № 16. P. 3427–3433. https://doi.org/10.1109/JLT.2018.2843136
- Cañas G., Vera N., Cariñe J., González P., Cardenas J., Connolly P.W.R., Przysiezna A., Gómez E.S., Figueroa M., Vallone G., Villoresi P., Ferreira da Silva T., Xavier G.B., Lima G. Highdimensional decoystate quantum key distribution over multicore telecommunication fibers // Physical Review A. 2017. V. 96. № 2. P. 022317. https://doi.org/10.1103/PhysRevA.96.022317
- Zhao L.Y., Wu Q.J., Qiu H.K., Qian J.L., Han Z.F. Practical security of wavelengthmultiplexed decoystate quantum key distribution // Physical Review A. 2021. V. 103. № 2. P. 022429. https://doi.org/10.1103/PhysRevA.103.022429
- Wang F.X., Chen W., Li Y.P., He D.Y., Wang C., Han Y.G., Wang S., Yin Z.Q., Han Z.F. NonMarkovian property of afterpulsing effect in singlephoton avalanche detector //Journal of Lightwave Technology. 2016. V. 34. № 15. P. 3610–3615. https://opg.optica.org/jlt/abstract.cfm?uri=jlt34153610#articleCitations
- Wang C., Wang J., Xu Z., Li J., Wang R., Zhao J., Wei Y. Afterpulsing effects in SPADbased photoncounting communication system // Optics Communications. 2019. V. 443. P. 202–210. https://doi.org/10.1016/j.optcom.2019.03.039
- Bethune D.S., Risk W.P., Pabst G.W. A highperformance integrated singlephoton detector for telecom wavelengths // Journal of modern optics. 2004. V. 51. № 9–10. P. 1359–1368. https://doi.org/10.1080/09500340408235278
- Yuan Z.L., Kardynal B.E., Sharpe A.W., Shields A.J. High speed single photon detection in the near infrared // Applied Physics Letters. 2007. V. 91. № 4. P. 041114. https://doi.org/10.1063/1.2760135
- Liu J., Zhang C., Li Y., Wang Z. 1.2GHz gated singlephoton detector with simple filtering // Optoelectronic Devices and Integration V. 2014. V. 9270. P. 23–29. https://doi.org/10.1117/12.2071434
- Chunnilall C.J., Degiovanni I.P., Kück S., Müller I., Sinclair A.G. Metrology of singlephoton sources and detectors: a review // Optical Engineering. 2014. V. 53. № 8. P. 081910. https://doi.org/10.1117/1.OE.53.8.081910
- Liang Y., Chen Y., Huang Z., Bai G., Yu M., Zeng H. Roomtemperature singlephoton detection with 1.5GHz gated InGaAs/InP avalanche photodiode // IEEE Photonics Technology Letters. 2016. V. 29. № 1. P. 142–145. https://doi.org/10.1109/LPT.2016.2630273
- Zhang Y., Zhang X., Shi Y., Ying Z., Wang S. Electrooptic modulator based gate transient suppression for sinewave gated InGaAs/InP single photon avalanche photodiode // Optical Engineering. 2014. V. 53. № 6. P. 067102. https://doi.org/10.1117/1.OE.53.6.067102
- Bouzid A., Han S.W., Lee M.S., Moon S. Singlephoton detector at telecommunication wavelengths using an analog integrator for ultra small avalanche discrimination // Applied Physics Express. 2013. V. 6. № 5. P. 052201. https://doi.org/10.7567/APEX.6.052201
- Korzh B., Lunghi T., Kuzmenko K., Boso G., Zbinden H. Afterpulsing studies of lownoise InGaAs/InP singlephoton negativefeedback avalanche diodes // Journal of Modern Optics. 2015. V. 62. № 14. P. 1151–1157. https://doi.org/10.1080/09500340.2015.1024294
- Itzler M.A., Jiang X., Entwistle M. Power law temporal dependence of InGaAs/InP SPAD afterpulsing // Journal of Modern Optics. 2012. V. 59. № 17. P. 1472–1480. https://doi.org/10.1080/09500340.2012.698659
- Arahira S., Murai H. Effects of afterpulse events on performance of entanglementbased quantum key distribution system // Japanese Journal of Applied Physics. 2016. V. 55. № 3. P. 032801. https://doi.org/10.7567/JJAP.55.032801