Back
Marin
Denis
V.
PhD (Physics and Mathematics)
| Affiliation |
| Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia |
| Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia |
|
E-mail: marin@isp.nsc.ru
ScopusID: 35554154800
ORCID: 0000-0003-1603-0709
Articles
|
Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58
Shvets V.A., Marin D.V., Kuznetsova L.S., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58
|
Abstract
|
ru