УДК: 539.2:621.382
Природа фотостимулированных процессов в слоях Аs2Sе3, используемых при изготовлении элементов дифракционной оптики
Полный текст «Оптического журнала»
Публикация в Journal of Optical Technology
Вандюков Е.А., Саттаров Ф.А., Знаменский М.Ю., Филиппов В.Л., Лукин А.В., Вандюкова И.И., Соболев А.П. Природа фотостимулированных процессов в слоях Аs2Sе3, используемых при изготовлении элементов дифракционной оптики // Оптический журнал. 2005. Т.72. №2 С. 56-60.
Vandyukov E. A., Sattarov F. A., Znamenskii M. Yu., Filippov V. L., Lukin A. V., Vandyukova I. I., Sobolev A. P. The nature of photostimulated processes in As2Se3 layers used in fabricating the elements of diffraction optics [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 2. P. 56-60.
Vandyukov E. A., Sattarov F. A., Znamenskii M. Yu., Filippov V. L., Lukin A. V., Sobolev A. P., Vandyukova I. I. The nature of photostimulated processes in As2Se3 layers used in fabricating the elements of diffraction optics // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 2. P. 210-213. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000210
Представлены результаты исследований проявления фотостимулированных структурных изменений в термонапыленных слоях Аs2Sе3 по спектрам поглощения в дальней инфракрасной области спектра методами фурье-спектроскопии. Показано, что фотоструктурные изменения в слоях, применяемых для изготовления голограмм, проявляются в перераспределении интенсивности полос инфракрасного спектра поглощения, связанных с валентными колебаниями в молекулоподобных пирамидальных структурах, входящих в элементарные ячейки кристаллической фазы Аs2Sе3.
Коды OCIS: 1000.10000, 300.6250, 300.6270, 300.6300.