УДК: 621.383.49:621.793.162

Фоторезисторы спектрального диапазона 2-15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В. Фоторезисторы спектрального диапазона 2-15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43–50.

Filatov A.V., Susov E.V., Kuznetsov N.S., Karpov V.V. Photoresistors of the 2–15 μm spectral range based on CdxHg1−xTe heteroepitaxial structures obtained by molecular-beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 9. P. 43–50.

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Filatov, E. V. Susov, N. S. Kuznetsov, and V. V. Karpov, "Photoresistors of the 2–15 μm spectral range based on Cd_xHg_1−xTe heteroepitaxial structures obtained by molecular-beam epitaxy," Journal of Optical Technology. 83(9), 543-548 (2016). https://doi.org/10.1364/JOT.83.000543

Аннотация:

Представлены результаты разработки и промышленного производства фоторезисторов из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1–хTe, полученных молекулярной эпитаксией, на спектральный диапазон 2–15 мкм для инфракрасной техники. Приведены различные конструкции фоторезисторов с охлаждением до 80 и 230 K и их основные фотоэлектрические параметры. Выполнен расчет надежности фоторезисторов по гамма-процентной наработке до отказа.

Ключевые слова:

гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, надежность

Благодарность:

Авторы выражают свою признательность сотрудникам ИФП СО РАН Ю.Г. Сидорову, С.А. Дворецкому, Н.Н. Михайлову и В.С. Варавину за создание и исследование эпитаксиальных структур для фоторезисторов.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060,160.6840

Список источников:

1. Hansen G.L., Schmit J.L., Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in Hg1−xCdxTe // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. P. 7099−7101.
2. VaravinV.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1−xCdxTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161−1166.
3. Гиндин П.Д., Карпов В.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Петренко В.И., Никифоров А.Ю., Кузнецов Н.С., Грибанов А.А. Фоторезистор с кодом Грея из гетеро-эпитаксиальных структур КРТ для регистрации импульсного излучения СО2 лазера // Труды XXIII Межд. научно-техн. конф. “Фотоэлектроника и приборы ночного видения”. М., 2014. С. 538–542.
4. Филатов А.В., Гиндин П.Д., Карпов В.В., Кузнецов Н.С., Сусов Е.В. Многоэлементный кодовый приемник // Патент на полезную модель России № 140458. 2014.
5. Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.
6. Филатов А.В., Карпов В.В., Сусов Е.В., Грибанов А.А., Кузнецов Н.С., Петренко В.И. Фоторезисторы с кодом Грея из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe на спектральный диапазон 2–11 мкм с термоэлектрическим охлаждением // УПФ. 2015. Т. 3. № 2. С. 190–195.
7. Филатов А.В., Сусов Е.В., Акимова Н.М., Карпов В.В., Шаевич В.И. Высокостабильные фоторезисторы диапазона 8–12 мкм из ГЭС КРТ МЛЭ // УПФ. 2015.Т. 3. № 2. С. 196–201.
8. Филатов А.В., Кузнецов Н.С., Гиндин П.Д., Карпов В.В., Козырев М.Е., Петренко В.И. Приемник излучения с термоэлектрическим охлаждением // Патент на полезную модель России № 153455. 2015.
9. Infrared detectors and related electronic devices. Catalogue VIGO System S.A. www.vigo.com.pl.
10. Кузнецов Н.С., Марущенко А.В., Гиндин П.Д., Михайлова Е.В., Акимова Н.М. Приемник излучения с радиационным охлаждением // Патент на полезную модель России № 111642. 2011.
11. ГОСТ 27.002-89. Надежность в технике. Основные понятия. Термины и определения.