Карпов Владимир Владимирович

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 3–5 мкм из гетероэпитаксиальных структур n – Cd_xHg_1-xTe// Оптический журнал. 2020. Т. 87. № 12. С. 103 –110. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-12-103-110

Гусаров А.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В., Гиндин П.Д. Фоторезисторы с радиальным смещением из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe  // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 2. С. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

Gusarov A.V., Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V., Gindin P.D. Radially biased photoresistors with heteroepitaxial CdxHg1−xTe structure [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2019. V. 86. № 2. P. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61 

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 8–16 мкм из гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1–xTe // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 6. С. 58–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2018-85-06-58-66

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Photoresistors with charge-carrier exclusion for the 8–16-μm spectral range, made from n-CdxHg1-xTe heteroepitaxial structures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2018. V. 85. № 6. P. 58–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2018-85-06-58-66

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Formation, nature, and annealing of defects in Cd0.2Hg0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2017. V. 84. № 4. P. 67–72.

Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В. Фоторезисторы спектрального диапазона 2-15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43–50.

Filatov A.V., Susov E.V., Kuznetsov N.S., Karpov V.V. Photoresistors of the 2–15 μm spectral range based on CdxHg1−xTe heteroepitaxial structures obtained by molecular-beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 9. P. 43–50.