ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

Карпов Владимир Владимирович

Кандидат физико-математических наук

Место работы
АО «Московский завод «Сапфир», Москва, Россия

Статьи

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 3–5 мкм из гетероэпитаксиальных структур n – CdxHg1-xTe// Оптический журнал. 2020. Т. 87. № 12. С. 103 –110. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2020-87-12-103-110

Аннотация

Гусаров А.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В., Гиндин П.Д. Фоторезисторы с радиальным смещением из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe  // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 2. С. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

 

Gusarov A.V., Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V., Gindin P.D. Radially biased photoresistors with heteroepitaxial CdxHg1−xTe structure [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2019. V. 86. № 2. P. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61 

Аннотация

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 8–16 мкм из гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1–xTe // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 6. С. 58–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2018-85-06-58-66

 

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Photoresistors with charge-carrier exclusion for the 8–16-μm spectral range, made from n-CdxHg1-xTe heteroepitaxial structures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2018. V. 85. № 6. P. 58–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2018-85-06-58-66

Аннотация

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

 

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Formation, nature, and annealing of defects in Cd0.2Hg0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2017. V. 84. № 4. P. 67–72.

Аннотация

Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В. Фоторезисторы спектрального диапазона 2-15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43–50.

 

Filatov A.V., Susov E.V., Kuznetsov N.S., Karpov V.V. Photoresistors of the 2–15 μm spectral range based on CdxHg1−xTe heteroepitaxial structures obtained by molecular-beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 9. P. 43–50.

Аннотация