Фоторезисторы с радиальным смещением из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe

Гусаров А.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В., Гиндин П.Д.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Гусаров А.В., Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В., Гиндин П.Д. Фоторезисторы с радиальным смещением из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe // Оптический журнал. 2019. Т. 86. № 2. С. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

Gusarov A.V., Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V., Gindin P.D. Radially biased photoresistors with heteroepitaxial CdxHg1−xTe structure [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2019. V. 86. № 2. P. 55–61. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2019-86-02-55-61

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Gusarov, A. V. Filatov, E. V. Susov, V. V. Karpov, and P. D. Gindin, "Radially biased photoresistors with heteroepitaxial Cd_xHg_1−xTe structure," Journal of Optical Technology. 86(2), 108-113 (2019). https://doi.org/10.1364/JOT.86.000108

Аннотация:

Исследованы свойства и параметры малоразмерных фоточувствительных элементов фоторезисторов с радиальным расположением контактов из гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe (x ≈ 0,212) с варизонными слоями под контактами. При напряжении смещения, соответствующему величине вольтовой чувствительности 1,5×105 В/Вт и плоском угле зрения 14°, выделяемая мощность составила не более 0,5 мкВт на один элемент, а удельная обнаружительная способность — не менее 1,2×1011 смГц1/2/Вт. Разработанная конструкция и полученные фотоэлектрические параметры фоторезисторов позволяют создавать фокальные матрицы из фоторезисторов с количеством пикселов порядка 106 и использовать мультиплексоры для обработки сигналов изображения.

Ключевые слова:

гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, эксклюзия носителей заряда

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

Список источников:

1. Rogalski A. HgCdTe infrared detector material: history, status and outlook // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. P. 2267–2336.
2. www.cobham.com/media/934628/ADV10553pdf
3. Филатов А.В., Сусов Е.В., Кузнецов Н.С., Карпов В.В. Фоторезисторы спектрального диапазона 2–15 мкм на основе гетероэпитаксиальных структур CdxHg1–xTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 9. С. 43–50.
4. Siliquini J.F., Faraone L. The vertical photoconductor: A novel device structure suitable for HgCdTe two-dimensional infrared focal plane arrays // Infrared Physics&Technology. 1997. V. 38. P. 205–221.
5. Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Фоторезисторы с эксклюзией носителей заряда для спектрального диапазона 8–16 мкм из гетероэпитаксиальных структур n–CdxHg1–xTe // Оптический журнал. 2018. Т. 85. № 6. С. 58–66.
6. Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.
7. Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.
8. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161–1166.
9. Elliott C.T. Non-equilibrium mode of operation of narrow-gap semiconductor devices // Semicod. Sci. Technol. 1990. V. 5. P. S30–S37.
10. Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial Hg1–хCdхTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1515–1522.
11. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с.
12. Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phys. 1977. V. 17. № 2. P. 127–135.