Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Formation, nature, and annealing of defects in Cd0.2Hg0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2017. V. 84. № 4. P. 67–72.

A. V. Filatov, E. V. Susov, and V. V. Karpov, "Formation, nature, and annealing of defects in Cd_0.2Hg_0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching," Journal of Optical Technology. 84(4), 275-280 (2017). https://doi.org/10.1364/JOT.84.000275

Исследовано образование дефектов в CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2) при травлении ионами аргона (1 кэВ) и их поведение при отжиге. Установлена природа этих дефектов. Методом измерения зависимости вольтовой чувствительности от напряжения смещения фоторезисторов, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2), полученных молекулярно-лучевой эпитаксией, определялась концентрация основных носителей заряда в процессе отжига. Показано, что изменение концентрации основных носителей заряда в процессе отжига определяется диффузией однократно заряженных доноров, являющихся комплексами вакансий ртути с избыточной межузельной ртутью, и коэффициентами диффузии однократно и двукратно заряженных вакансий ртути, концентрация которых определяется равновесными концентрациями точечных дефектов.

Авторы выражают признательность сотрудникам ИФП СО РАН Сидорову Ю.Г., Дворецкому С.А. Михайлову Н.Н. и Варавину В.С. за создание и исследования эпитаксиальных структур КРТ для фоторезисторов.