|
Иванов П.С., Мочалов И.В., Сандуленко А.В. Твердотельный чип-лазер на кристалле KGd(WO4)2:Nd3+ с торцевой полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности, генерирующий на длине волны 1,35 мкм // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 12. С. 14–17.
Ivanov P.S., Mochalov I.V., Sandulenko A.V. Solid-state laser chip based on a KGd(WO4)2:Nd3+ crystal with semiconductor end pumping and passive Q-switching, lasing at wavelength 1.35 μm [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2015. V. 82. № 12. P. 14–17.
|
Abstract
|
|
Анненков В.И., Иванов П.С., Гаранин С.Г., Калмыков Н.А., Мочалов И.В., Сандуленко А.В., Сандыга С.В. Твердотельный лазер на вынужденном комбинационном рассеянии, излучающий вторую стоксову компоненту, как задающий генератор для системы усилителей на атомарном йоде // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 2. С. 10–15.
Annenkov V.I., Ivanov P.S., Garanin S.G., Kalmykov N.A., Mochalov I.V., Sandulenko A.V., Sandyga S.V. A stimulated-Raman-scattering solid-state laser that radiates the second Stokes component as a master oscillator for a system of amplifiers based on atomic iodine [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 2. P. 10–15.
|
Abstract
|
Back
