ITMO
ru/ ru

ISSN: 1023-5086

ru/

ISSN: 1023-5086

Scientific and technical

Opticheskii Zhurnal

A full-text English translation of the journal is published by Optica Publishing Group under the title “Journal of Optical Technology”

Article submission Подать статью
Больше информации Back

Ruzhevich, Maxim S.

Affiliation
ITMO University, Saint-Petersburg, Russia

E-mail: max.ruzhevich@niuitmo.ru

ScopusID: 57427011200

ORCID: 0000-0002-4513-6345

Articles

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Фирсов Д.Д., Комков О.С., Варавин В.С., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe, легированных мышьяком // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 5. С. 33–42. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-05-33-42

 

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D., Firsov D.D., Komkov O.S., Varavin V.S., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical properties of HgCdTe epitaxial films doped with arsenic [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 5. P. 33–42. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-05-33-42

Abstract

Ружевич М.С., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л., Дорогов М.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Ужаков И.Н., Ремесник В.Г., Якушев М.В. Оптические свойства и разупорядочение плёнок HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 23–33. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33

 

Ruzhevich M.S., Mynbaev K.D, Bazhenov N.L., Dorogov M.V., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Uzhakov I.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Optical properties and disorder of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 23–33. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-23-33

Abstract

Ружевич М.С., Семакова А.А., Мынбаев К.Д., Баженов Н.Л. Оптические переходы в длинноволновых светодиодных гетероструктурах на основе InAsSb // Оптический журнал. 2023. Т. 90. № 7. С. 15–25. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2023-90-07-15-25

 

Ruzhevich M.S., Semakova A.A., Mynbaev K.D., Bazhenov N.L. Optical transitions in long-wavelength light-emitting diode heterostructures based on InAsSb [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 90. № 7. P. 15–25. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2023-90-07-15-25

Abstract