УДК: 621.531.219
Насыщение поглощения в полупроводниках при локальном облучении коротким световым импульсом
Полный текст «Оптического журнала»
Публикация в Journal of Optical Technology
Амосова Л.П., Диденко И.А., Комолов В.Л. Насыщение поглощения в полупроводниках при локальном облучении коротким световым импульсом // Оптический журнал. 2004. Т.71. №6 С. 29-31.
Amosova L.P., Didenko I.A., Komolov V.L. Absorption saturation in semiconductors when they are locally irradiated with a short light pulse [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2004. V. 71. No 6. P. 29-31.
Amosova L.P., Didenko I.A., Komolov V.L. Absorption saturation in semiconductors when they are locally irradiated with a short light pulse // Journal of Optical Technology. 2004. V. 71. № 6. P. 358-360. https://doi.org/10.1364/JOT.71.000358
Проведен теоретический анализ процессов, протекающих при интенсивном световом возбуждении малого участка поверхности полупроводника коротким лазерным импульсом. Изучена временная динамика поглощения в условиях конкуренции примесного и внутризонного поглощения.
Коды OCIS: 240.0240.