УДК: 535.243, 543.42

Зависимость коэффициента поглощения кристаллического германия в ИК области спектра от удельного сопротивления

Несмелова И.М., Астафьев Н.И., Несмелов Е.А.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Несмелова И.М., Астафьев Н.И., Несмелов Е.А. Зависимость коэффициента поглощения кристаллического германия в ИК области спектра от удельного сопротивления // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 1. С. 88–92.

Nesmelova I.M., Astafiev N.I., Nesmelov E.A. Resistivity dependence of the absorption coefficient of crystalline germanium in the IR region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2007. V. 74. № 1. P. 88–92.

Ссылка на англоязычную версию:

I. M. Nesmelova, N. I. Astaf'ev, and E. A. Nesmelov, "Resistivity dependence of the absorption coefficient of crystalline germanium in the IR region," Journal of Optical Technology. 74 (1), 71-74 (2007). https://doi.org/10.1364/JOT.74.000071

Аннотация:

Теоретически рассмотрена зависимость коэффициента поглощения монокристаллического германия, используемого в качестве оптической среды в ИК области спектра, от его удельного сопротивления. Показано, что эта зависимость описывается монотонной кривой, а для получения достоверных значений пропускания образцов германия необходимо, кроме удельного сопротивления, определять и подвижность носителей заряда. Рассмотрены изменения коэффициента поглощения и удельного сопротивления в интервале температур 210-330 K. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными на образцах германия марок ГМО и ГЭС.

Коды OCIS: 160.0160, 160.4760

Список источников:

1. Карлов И.В., Сисакян Е.В. Оптические материалы для СО2-лазеров // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1980. Т. 44, № 8. С. 1631-1638.

2. Несмелова И.М., Астафьев Н.И. Оптические характеристики монокристаллического германия // Оптический журнал. 1999. Т. 66, № 1. С. 68-72.

3. Курик М.В. О точности определения коэффициента поглощения полупроводников // Опт. и спектр. 1965. Т. 19, № 6. С. 964-967.

4. Чудаков В.С., Праве Г.Г., Янусова Л.Г. Фотоупругий метод исследования слабого оптического поглощения в кристаллах при параллельном прохождении лучей // Кристаллография. 1987. Т. 31, № 6. С. 1445-1448.

5. Capron E.D., Brill O.L. Absorption Coefficient as a Function of Resistance for Optical Germanium at 10,6 мm // Appl. Opt. 1973. Vol. 12, N 3. Р. 569-572.

6. Bishop P.J., Gibson A.F. Absorption coefficient of Germanium at 10,6 мm // Appl. Opt. 1973. Vol. 12, N 11. С. 2549-2550.

7. Hutchison C.J., Lewis C., Savage J.A., Pitt A. Surfece and bulk absorption in germanium at 10,6 мm // Appl. Opt. 1982. Vol. 21, N 8. P. 1490-1495.

8. Каплунов И.А., Смирнов Ю.М., Колесников А.И. Оптическая прозрачность кристаллического германия // Оптический журнал. 2005. Т. 72, № 2. С. 61-68.

9. Калинушкин В.П. Исследование примесных дефектов в полупроводниках методом рассеяния лазерного излучения ИК диапазона // Тр. ИОФ АН СССР. 1986. Т. 4. С. 3-59.

10. Маколкина Е.Н., Пржевуский А.К. Влияние структурных дефектов на оптические параметры кристаллов германия // Оптический журнал. 2003. Т. 70, № 11. С. 64-67.

11. Каплунов И.А., Колесников А.И., Шайович С.Л., Талызин И.В. Рассеяние света монокристаллами парателлурита и германия // Оптический журнал. 2005. Т. 72, № 3. С. 51-56.

12. Несмелова И.М. Оптические свойства узкощелевых полупроводников. Новосибирск: Наука, Сиб. отд., 1992. 158 с.

13. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 558 с.

14. Kaiser W., Collins R.J., Fan H.Y. Infra-red absorption in p-type germanium // Phys. Rev. 1954. Vol. 91, N 6. P. 1380-1383.

15. Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: ИЛ, 1962. 253 с.

16. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника: Справочник. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с.

17. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с.