УДК: 621.38
Новый метод формирования литографической маски или рельефа непосредственно в процессе электронно-лучевого экспонирования резиста
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Предложен новый “сухой” метод формирования рисунка маски или любого другого рельефа в некоторых позитивных резистах путем прямого травления резиста непосредственно в процессе экспонирования электронным лучом. Метод весьма эффективен при формировании пространственных 3D структур и, по-видимому, может быть успешно использован в оптоэлектронике.
оптоэлектроника, электронная литография, сухое травление резиста, 3d структуры
Список источников: