Back
Vasiliev,
Vladimir
V.
PhD (Physics and Mathematics)
| Affiliation |
| Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia |
|
ScopusID: 7005989572
ORCID: 0000-0002-0066-7898
Articles
|
Стучинский В.А., Вишняков А.В., Васильев В.В. Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 59–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66
Stuchinsky V.A., Vishnyakov A.V., Vasiliev V.V. Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 59–56. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66
|
Abstract
|
|
Васильев В.В., Вишняков А.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Стучинский В.А. Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75
Vasiliev V.V., Vishnyakov A.V., Sabinina I.V., Sidorov G.Yu., Stuchinsky V.A. The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75
|
Abstract
|
|
Васильев В.В., Козлов А.И., Марчишин И.В., Сидоров Ю.Г., Якушев М.В. Анализ структурно-технологических ограничений в кремниевых схемах считывания сигналов фотодиодов инфракрасного диапазона // Оптический журнал. 2014. Т. 81. № 7. С. 39–45.
Vasiliev V.V., Kozlov A.I., Marchishin I.V., Sidorov Yu.G., Yakushev M.V. Analysis of structural–technological limitations in silicon circuits for reading photodiode signals in the IR region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2014. V. 81. № 7. P. 39–45.
|
Abstract
|
|
Васильев В.В., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Асеев А.Л. Инфракрасные фотоприемные модули на варизонных слоях КРТ и на структурах с квантовыми ямами GaAs/AIGaAs // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 63-69.
Vasil'ev V.V., Ovsyuk V.N., Shashkin V.V., Aseev A.L. Infrared photodetector modules based on variband layers of HgCdTe and on structures with GaAs/AlGaAs quantum wells [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 6. P. 63-69.
|
Abstract
|
