Back
Vishnyakov
Aleksey
V.
PhD (Physics and Mathematics)
| Affiliation |
| Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia |
|
E-mail: vishn@isp.nsc.ru
ScopusID: 16450688400
ORCID: 0000-0002-2662-0270
Articles
|
Стучинский В.А., Вишняков А.В., Васильев В.В. Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных носителей заряда в фотоприёмных матрицах на основе материала кадмий-ртуть-теллур с разными значениями геометрических параметров // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 59–66. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66
Stuchinsky V.A., Vishnyakov A.V., Vasiliev V.V. Modulation transfer function and effective diffusion length of photogenerated charge carriers in mercury-cadmium-telluride focal-plane diode arrays with different values of geometric parameters [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 59–56. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-59-66
|
Abstract
|
|
Васильев В.В., Вишняков А.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Стучинский В.А. Влияние охранных сеточных диодов с плавающим потенциалом n-области на пространственное разрешение n-на-p линейных HgCdTe-фотоприёмников // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75
Vasiliev V.V., Vishnyakov A.V., Sabinina I.V., Sidorov G.Yu., Stuchinsky V.A. The influence of grid guard diodes with a floating n-region potential on the spatial resolution of n-on-p linear HgCdTe photodetectors [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 67–75. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-67-75
|
Abstract
|
