Voytsekhovskiy, Alexander V.

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe nBn со сверхрешёткой в барьерной области // Оптический журнал. 2024. Т. 91 № 10. С. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Voitsekhovskii1 A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Photoelectric properties of MIS structures based on HgCdTe nBn with a superlattice in the barrier region [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 10. P. 3–14. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-10-3-14

Кукенов О.И., Дирко В.В., Соколов А.С., Лозовой К.А., Швалева К.И., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Влияние смены механизма роста на синтез двумерных слоёв и квантовых точек германия на кремнии // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 6. С. 99–107. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-06-99-107

Kukenov O.I., Dirko V.V., Sokolov A.S., Lozovoy K.A., Shvaleva O.I., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Effect of changing the growth mechanism on the synthesis of germanium two-dimensional layers and quantum dots on silicon [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 6. P. 99–107. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2023-90-05-99-107

Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22

Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier. Review [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 91. № 2. P. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22