en
Назад
УДК: 535.65, 539.234, 621.52
Синтез пленкообразующих материалов на основе нитрида алюминия для формирования из них оптических покрытий
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Кириленко В.В., Жигарновский Б.М., Павловский В.К., Маркелова И.П., Михайлов А.В., Муранова Г.А. Синтез пленкообразующих материалов на основе нитрида алюминия для формирования из них оптических покрытий // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 12. С. 50–56.
Kirilenko V.V., Zhigarnovskiy B.M., Pavlovskiy V.K., Markelova I.P., Mikhailov A.V., Muranova G.A. Synthesizing film-forming materials based on aluminum nitride in order to form optical coatings from them [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2008. V. 75. № 12. P. 50–56.
V. V. Kirilenko, B. M. Zhigarnovskiĭ, V. K. Pavlovskiĭ, I. P. Markelova, A. V. Mikhaĭlov, and G. A. Muranova, "Synthesizing film-forming materials based on aluminum nitride in order to form optical coatings from them," Journal of Optical Technology. 75 (12), 800-805 (2008). https://doi.org/10.1364/JOT.75.000800
В работе рассмотрены вопросы синтеза и прессования нитрида алюминия для получения пленкообразующих материалов, используемых для формирования оптических покрытий. На основе полученных пленкообразующих материалов разработан технологический процесс изготовления покрытий из нитрида алюминия на основе двух вакуумных методов напыления тонких пленок: вакуумного испарения и магнетронного распыления. Рассмотрены вопросы использования пленок нитрида алюминия в оптическом приборостроении.
Коды OCIS: 160.4760, 310.1620
Список источников:1. Fischer A. Verfahren zur Herstellung und Dotierung von Aluminiumnitrid-kristallen // Pat. FRG N 1128410. 1962.
2. Hutton H.R. Piezoelectric Device Utilizing Aluminum Nitride // Pat. USA N 3090876. 1963.
3. Witzke H.D. Ein Beitrag zur orientiren Abscheidung halbleitender Verbinddungen aus der Dampfphase am Beispiel AlN-Al4C3 // Z. phys. Chem. 1962. V. 221. № 3-4. P. 253-263.
4. Fichter F. Über Aluminiumnitrid // Z. Anorg. Allgem. Chem. 1907. V. 54. P. 322-327.
5. Wolf J. Über Darstelling von Aluminiumnitrid aus den Element // Z. Anorg. Allgem. Z. Anorg. Allgem. Chem. 1913. V. 83. P. 159-162.
6. Tiede E., Thimann M., Sensse K. Über phosphorescen- zfähiges, durch Siliciumaktiviertes Aluminiumnitrid // Ber. 1928. V. 61. P. 1568-1573.
7. Renner T. Über Aluminiumnitrid // Z. Anorg. Allgem. Chem. 1959. V. 298. P. 22-25.
8. Warren J.W. Measurement of Appearance Potentials of Ions Produced by Electron Impact using a Mass Spectrometer // Nature. 1950. V. 165. P. 810-811.
9. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник / Под ред. акад. В.Н. Кондратьева. М.: Наука, 1974. С. 227.
10. Кутолин С.А., Степанов И.В., Бойкин Н.И. Влияние ультрафиолетового облучения на процесс кристаллизации пленок нитрида и окиси алюминия, получаемых вакуумтермическим испарением // Электроника. Сер. Полупроводниковые приборы. ИСЛ № 001628. 1971. С. 1-5.
11. Степанов И.В., Кутолин С.А., Антонов М.И., Тепман Г.П. Исследование процессов получения и применения диэлектрических пленок на основе нитрида алюминия // Методы получения, свойства и применение нитридов. Сб. трудов. Киев, Изд.ИПМ АН УССР, 1972. С. 201-208.
12. Миллер В.Т., Первеев А.Ф. Устройство для ионной очистки подложек полировки слоев // Оптический журнал. 1993. № 2. С. 72-75.
13. Степуро А.В., Туровская Т.С., Муранова Г.А., Первеев А.Ф. Влияние ионной обработки подложек на начальные стадии роста металлических пленок // ОМП. 1983. № 11. С. 30-33.
14. Первеев А.Ф. Ионная обработка оптических материалов и покрытий // Труды ГОИ. 1983. Т. 52. В. 186. С. 58-74.
15. Song Z.R.,Yu Y.H., Zou S.C., Zheng Z.H., Shen D.S., Luo E.Z., Xie Z., Sundaravel B., Wong S.P., Wilson I.H. Simulation and characterization on properties of AlN films for SOI application // Thin Solid Films. 2004. 459(1-2). P. 41-47.
16. Kok-Wan Tay, Cheng-Liang Huang, Long Wu, Meng-Shan Lin. Performance Caracterization of Thin AlN Films deposited on Mo Electrode for Thin-Film Bulk Acoustic-Wave Resonators // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 1. 2004. V. 43(8A). P. 5510-5515.
17. Iborra E., Olivares J., Clement M., Vergara L., Sanz-Hervas A., Sangrador J. Piezoelectric properties and residual stress of sputtered AlN Thin films for MEMS applications // Sensors and Actuator. A: Physical. 2004. V. 115 (2-3). 3SPEC. 501-507.
18. Martin P.J., Macleod H.A., Netterfield R.P., Pacey C.G., Sainty W.G. Ion-beam-assisted deposition of thin films // Appl. Opt. 1983. V. 22. № 1. P. 178-184.
19. Chang Kwon Hwangbo, Linda J. Lingg, John P. Lehan, H. Angus Macleod, John L.Makous, Sang Yeol Kim. Ion assisted deposition of thermally evaporated Ag and Al films // Appl. Opt. 1989. V. 28. № 14. P. 2769-2777.
20. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
21. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. М.: Мир, 1980. 488 c.
22. Хобсон П.Дж. Физическая адсорбция. М.: Мир, 1977. В. 1. С. 152-188.
23. Михайлов А.В., Муранова Г.А., Смирнов Н.Н. Определение колориметрических параметров и оптимизация конструкции цветных зеркал на основе металлодиэлектрических интерференционных систем // Оптический журнал. 2001. Т. 68. № 8. С. 30-43.