УДК: 535.243, 543.42

Особенности полупроводниковых материалов как оптических сред для инфракрасной области спектра

Астафьев Н.И., Несмелова И.М., Несмелов Е.А.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Астафьев Н.И., Несмелова И.М., Несмелов Е.А. Особенности полупроводниковых материалов как оптических сред для инфракрасной области спектра // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 9. С. 90–93.

Astafiev N.I., Nesmelova I.M., Nesmelov E.A. Features of semiconductor materials as infrared optical media [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2008. V. 75. № 9. P. 90–93.

Ссылка на англоязычную версию:

N. I. Astaf’ev, I. M. Nesmelova, and E. A. Nesmelov, "Features of semiconductor materials as infrared optical media," Journal of Optical Technology. 75 (9), 608-610 (2008). https://doi.org/10.1364/JOT.75.000608

Аннотация:

Рассмотрены особенности электрофизических свойств полупроводников применительно к их использованию в качестве оптической среды для инфракрасных систем. Показано, что достоверные сведения о величине коэффициента поглощения в инфракрасной области спектра могут быть получены из совокупности параметров: типа проводимости, удельного сопротивления, подвижности носителей заряда, ширины запрещенной зоны.

Коды OCIS: 160.0160, 160.4760

Список источников:

1. Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: ИЛ, 1961. 301 с.

2. Несмелова И.М., Астафьев Н.И., Несмелов Е.А. Зависимость коэффициента поглощения кристаллического германия в ИК области спектра от удельного сопротивления // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 1. С. 88-92.

3. Гаврищук Е.М. Поликристаллический ZnSe для ИК оптики // Неорганические материалы. 2003. Т. 39. № 9. С. 1031-1049.

4. Гаррик Н. Измерение времени жизни избыточных носителей тока в полупроводниках / Под ред. В.А. Бонч-Бруевича. Рекомбинация носителей тока в полупроводниках. М.: ИЛ, 1959. 140 с.

5. Toyoda Y., Elias L.R., Yen W.M. Time-resolved reflectance and transmittance measurements of laser-induced free carriers in germanium, silicon, and zinc selenide at 10,6 µm // Appl. Opt. 2007. V. 46. № 5. P. 785-788.

6. Блекмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 c.

7. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 558 с.

8. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970. 429 с.

9. Каплунов И.А., Колесников А.И., Талызин И.В., Седова Л.З., Шайович С.Л. Измерение коэффициентов ослабления света кристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 7. С. 76-78.

10. Петровский Г.Т., Бороздин С.Н., Мальцев М.В., Миронов И.А., Мусатов М.И., Письменный В.А., Шатилов А.В. Оптические кристаллы и поликристаллы // Оптический журнал. 1993. № 11. С. 77-93.

11. Гаврищук Е.М., Яшина Э.В. Оптические элементы из сульфида и селенида цинка для инфракрасной техники // Оптический журнал. 2004. Т. 71. № 12. С. 24-31.