Back
Dvoretskiy,
Sergey
A.
PhD (Physics and Mathematics)
Affiliation |
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia |
|
E-mail: dvor@isp.nsc.ru
ScopusID: 6701661877
ORCID: 0000-0002-1295-5598
Articles
Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Униполярные барьерные структуры на основе n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера. Обзор // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22
Voitsekhovskii A.V., Dzyadukh S.M., Gorn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov G.Yu., Yakushev M.V. Unipolar barrier structures based on n-HgCdTe with superlattices as a barrier. Review [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2023. V. 91. № 2. P. 6–22. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-6-22
|
Abstract
|
Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Менщиков Р.В., Ремесник В.Г., Ужаков И.Н. Рост и характеризация nBn-структур на основе СdхHg1–хTe для фотоприёмников спектрального диапазона 3–5 мкм // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 76–87. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87
Mikhailov N.N., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Menshchikov R.V., Remesnik Vl.G., Uzhakov I.N. Growth and characterization of nBn structures based on CdxHg1–xTe for photodetectors in the 3–5 µm spectral range [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 76–87. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-76-87
|
Abstract
|
Ступак М.Ф., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Макаров С.Н., Елесин А.Г. Локальный контроль и измерение слабых напряжений на поверхности структур (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 88–98. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-88-98
Stupak M.F., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Makarov S.N., Elesin A.G. Local control and measurement of weak stresses on the surface of (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs structures using second harmonic generation [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 88–98. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-90-05-88-98
|
Abstract
|