УДК: 539.216.2, 537.9, 535.3

Применение лазерного распыления для получения полупроводниковых наногетероструктур

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В.

Полный текст «Оптического журнала»

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. Применение лазерного распыления для получения полупроводниковых наногетероструктур // Оптический журнал. 2008. Т. 75. № 6. С. 56–61.

Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demidov E.S., Demina P.B., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Podolskiy V.V., Sapozhnikov M.V. Using laser sputtering to obtain semiconductor nanoheterostructures [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2008. V. 75. № 6. P. 56–61.

Ссылка на англоязычную версию:

B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, V. V. Podol’skiĭ, E. S. Demidov, Yu. N. Drozdov, and M. V. Sapozhnikov, "Using laser sputtering to obtain semiconductor nanoheterostructures," Journal of Optical Technology. 75 (6), 389-393 (2008). https://doi.org/10.1364/JOT.75.000389

Аннотация:

Лазерное распыление твердотельных мишеней в атмосфере водорода использовано при формировании полупроводниковых наногетероструктур. Введение в светоизлучающие структуры на основе системы InGaAs/GaAs примесей (Te или Mn) в виде дельта-легированных слоев, полученных путем лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе газофазной эпитаксии из металлооргнаических соединений, позволяет управлять спектром и интенсивностью электролюминесценции. Снижение давления водорода в реакторе до 25-50 торр обеспечивает возможность лазерного нанесения при пониженных температурах эпитаксиальных слоев основного материала и получение полупроводников GaAs и InAs с высоким уровнем легирования марганцем, демонстрирубщих ферромагнитные свойства при комнатной температуре.

Благодарность:

Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 05-02-16624), CRDF (грант RUX0-001-NN-06/BP1 МО 1), Программы ОФН РАН "Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника".

Коды OCIS: 140.3530

Список источников:

1. Анисимов С.И., Имас Ф.А., Романов Г.С., Ходыко Ю.В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. 272 с.

2. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир, 1974. 673 с.

3. Фирцак Ю.Ю., Лукша О.В., Фенич П.А., Иванщкий В.П. Процессы роста пленок полупроводниковых веществ, осаждаемых из лазерной плазмы // В кн. "Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок" СО АН, Новосибирск: Наука, 1984.

4. Клюенков Е.Б. Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде // Дис. канд. физ.-мат. наук. Н. Новгород, 2003. 140 с.

5. Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Гавршенко В.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Кононенко В.К., Мудрый А.В., Иодко В.Н., Карнет Х.В., Дейл Д. Оптические характеристики дельта-легированных сверхрешеток GaAs // Изв. АН. Сер. физ. 2004. Т. 68. № 1. С. 84-86.

6. Звонков Б.Н., Карпович И. А., Байдусъ Н. В., Филатов Д.О., Морозов С.В. Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией // ФТП. 2001. Т. 35. В. 1. С. 92-97.

7. Звонков Б.Н., Подольский В.В., Лесников В.П., Ахлестина С.А., Батукова Л.М., Демидова Е.Р., Дроздов Ю.Н., Малкина И.Г., Филатов Д.О., Янькова Т.Н. Легирование GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии из эрозионной лазерной плазмы // Высокочистые вещества. 1993. №4. С. 114-121.

8. Baidus N.V., Zvonkov B.N., Mokeeva P.B., Uskova E.A., Tikhov S.V., Vasilevskiy M.I., Gomes M.J.M., Filonovich S.A. 1,3-1,5 mkm electroluminescence from Schottky diodes made on Au-InAs/GaAs quantum-size heterostructures // Semicond. Sci. Technol. 2004. V. 19. P. S469-S471.

9. Nazmul A.M., Sugahara S., Tanaka M. Ferromagnetism and high Curie temperature in semiconductor hetero-structures with Mn 5-doped GaAs and ρ-type selective doping // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 241308.

10. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. 432 с.

11. Рыльков В.В., Аронзон Б.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Лесников В.П., Маслаков К.И., Подольский В.В. Особенности эффекта Холла в слоях GaMnSb, полученных осаждением из лазерной плазмы // ЖЭТФ. 2005. Т. 127. В. 4. С. 838-849.