УДК: 544.023.22, 023.25

Исследование материалов для защиты выходных зеркал полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Козырев А.А., Микаелян Г.Т. Исследование материалов для защиты выходных зеркал полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктур // Оптический журнал. 2011. Т. 78. № 6. С. 88–93.

Kozyrev A.A., Mikaelyan G.T. Study of materials for protecting the output mirrors of semiconductor lasers based on AlGaAs/GaAs heterojunctions [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2011. V. 78. № 6. P. 88–93.

Ссылка на англоязычную версию:

A. A. Kozyrev and G. T. Mikaelyan, "Study of materials for protecting the output mirrors of semiconductor lasers based on AlGaAs/GaAs heterojunctions," Journal of Optical Technology. 78(6), 413-416 (2011). https://doi.org/10.1364/JOT.78.000413

Аннотация:

Проведено исследование оптических свойств тонких пленок селенида цинка, оксида алюминия и нитрида кремния, полученных электронно-лучевым испарением с использованием ионного ассистирования. Показано, что полученные пленки селенида цинка имеют высокую шероховатость и слабые защитные свойства. С помощью реактивного напыления получены пленки нитрида кремния, повышающие предельную мощность лазеров в 2,5 раза. На примере нитрида кремния показана возможность управления оптическими характеристиками пленок путем изменения параметров процесса напыления. Показано, что пленки оксида алюминия, полученные с помощью ионного ассистирования, повышают предельную мощность лазерных диодов в 2 раза по сравнению с аналогичными пленками, полученными без ионного ассистирования.

Ключевые слова:

селенид цинка, оксид алюминия, нитрид кремния, ионное ассистирование

Коды OCIS: 140.3380, 310.1860, 140.5960

Список источников:

1. Бессолов В.Н., Лебедев М.В. Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников АIIIBV // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. C. 1281–1299.
2. Shu X., Xu C., Tian Z., Shen G. ZnSe by electron-beam evaporation used for facet passivation of high power laser diodes // Solid-State Electronics. 2005. V. 49. P. 2016–2017.
3. Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктур // ФТП. 2001. Т. 35. № 3. С. 380–384.
4. Елисеев П.Г., Микаелян Г.Т. Оптическая прочность зеркальных граней в полупроводниковом лазере на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном режиме // Квант. электрон. 1995. T. 22. № 9. C. 895–896.
5. Tamotsu H., Kengo I., Morimichi M., Hideki H. Surface passivation of GaAs with ultrathin Si3N4/Si interface control layer formed by MBE and in situ ECR plasma nitridation // Applied Surface Science. 1998. V. 123–124. P. 599–602.
6. Riviere J.P., Harel S., Guerin P., Straboni A. Structure of ZrO2 optical thin films prepared by dual ion beam reactive sputter deposition // Surface and Coatings Technology. 1996. V. 84. P. 470–475.
7. Park Y.J., Sobahan K.M.A., Hwangbo C.K. Optical and structural properties of Fe2O3 thin films prepared by ion-beam assisted deposition // Surface and Coatings Technology. 2009. V. 203. P. 2646–2650.
8. Guenther K.H., Pulker H.K. Electron microscopic investigations of cross sections of optical thin films // Appl. Opt. 1976. V. 15. P. 2992–2997.
9. Martin P.J., Netterfield R.P., Sainty W.G. Modification of the optical and structural properties of dielectric ZrO2 films by ion-assisted deposition // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. P. 235–242.
10. Iwamoto H., Ebata K., Nanba H. Development of a High-Pressure ZnSe Lens with Low Absorptivity // Sei Technical Review. 2002. V. 53. P. 92–98.
11. Амочкина Т.В. Алгоритм синтеза многослойных оптических покрытий, основанный на теории эквивалентных слоев // Выч. методы и программирование. 2005. T. 6. C. 194–209.
12. Машин А.И., Ершов А.В., Хохлов Д.А. Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния // ФТП. 1998. Т. 32. № 11. C. 1390–1392.
13. Singh S.P., Srivastava P., Prakash G.V., Modi M.H., Ray S., Lodha G.S. Optical and structural characterization of rapid thermal annealed nonstoichiometric silicon nitride film // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. V. 20. P. 1–5.