УДК: 535.44; 621.373.826
Субпуассоновская одномодовая генерация в полупроводниковом лазере с внешним резонатором
Полный текст «Оптического журнала»
Публикация в Journal of Optical Technology
Вознесенский Н.Б., Вейко В.П., Вознесенская Н.Н., Воронин Ю.М. Субпуассоновская одномодовая генерация в полупроводниковом лазере с внешним резонатором // Оптический журнал. 2003. Т.70. №1. С. 46–50.
Fofanov Ya. A., Sokolov I. V. Sub-Poissonian single-mode lasing in a semiconductor laser with an external cavity [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2003. V. 70. No 1. P. 46–50.
Ya. A. Fofanov and I. V. Sokolov, "Sub-Poissonian single-mode lasing in a semiconductor laser with an external cavity," Journal of Optical Technology. 70(1), 38-41 (2003). https://doi.org/10.1364/JOT.70.000038
Описан одномодовый источник субпуассоновского излучения, созданный на основе полупроводникового инжекционного лазера с внешней оптической обратной связью. В спектре лазерного излучения подавлены все дополнительные шумовые компоненты (подпороговые моды), включая моды внешнего резонатора. Лазер предназначен для проведения сверхчувствительных спектроскопических и аналитических исследований.
Коды OCIS: 270.6570, 030.5290,140.2020, 140.5960, 270.5290