Зависимость фотолюминесценции субмикронных эпитаксиальных n+-n-i-структур A3B5 от их электрофизических характеристик

Емельяненко Ю.С., Мальшев С.А., Покрышкин А.И. Зависимость фотолюминесценции субмикронных эпитаксиальных n⁺-n-i-структур A³B⁵ от их электрофизических характеристик // Оптический журнал. 2005. Т.72. №2 С. 8-13.

Emel'yanenko Yu. S., Malyshev S. A., Pokryshkin A. I. How the photoluminescence of submicron epitaxial n^+-n-i structures of III-V compounds depends on their electrophysical characteristics [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 2. P. 8-13.

Emel'yanenko Yu. S., Malyshev S. A., Pokryshkin A. I. How the photoluminescence of submicron epitaxial n^+-n-i structures of III-V compounds depends on their electrophysical characteristics // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 2. P. 167-171. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000167

Приведены результаты исследований фотолюминесценции (ФЛ) субмикронных эпитаксиальных n⁺-n-i-структур GаАs. Предложена математическая модель ФЛ субмикронных эпитаксиальных структур A³B⁵, которая позволяет определить теоретические зависимости интенсивности ФЛ от скорости поверхностной рекомбинации, подвижности неосновных неравновесных носителей заряда, коэффициентов поглощения и самопоглощения, величины и знака встроенного электростатического потенциала между n⁺- и n-слоями, а также толщин эпитаксиальных слоев. Отмечено, что имеется хорошее согласие экспериментальных и теоретических данных.