ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

УДК: 535.374

Динамика спектра генерации трехмикронного Er:YLF-лазера при полупроводниковой накачке

Ссылка для цитирования:

Иночкин М.В., Назаров В.В., Сачков Д.Ю., Хлопонин Л.В., Храмов В.Ю. Динамика спектра генерации трехмикронного Er:YLF-лазера при полупроводниковой накачке // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 11. С. 62–67.

 

Inochkin M.V., Nazarov V.V., Sachkov D.Yu., Khloponin L.V., Khramov V.Yu. Dynamics of the lasing spectrum of a 3-μm Er:YLF laser with semiconductor pumping [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 11. P. 62–67.

Ссылка на англоязычную версию:

M. V. Inochkin, V. V. Nazarov, D. Yu. Sachkov, L. V. Khloponin, and V. Yu. Khramov, "Dynamics of the lasing spectrum of a 3-μm Er:YLF laser with semiconductor pumping," Journal of Optical Technology. 76 (11), 720-724 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000720

Аннотация:

В настоящей работе теоретически и экспериментально исследована генерация в кристалле Er:YLF при селективной накачке излучением лазерных диодов на длине волны 0,98 мкм на четырех длинах волн трехмикронного перехода, получены аналитические выражения, описывающие изменение спектра генерации лазера.

Ключевые слова:

кристаллы, легированные ионами эрбия, генерация, селективная накачка, лазерные диоды

Благодарность:

Работа выполнена в рамках аналитической ведомственной целевой программы “Развитие научного потенциала высшей школы”, гранты № РНП 2.1.2/4302, № РНП 2.1.2/4867.

Коды OCIS: 140.3070, 140.3430, 140.3480, 140.3580, 140.5680

Список источников:

1. Ramesh K., Shori, Walston A. A., Stafsudd O. M., Fried D., Walsh J. T. (Jr.). Quantification and Modeling of the Dynamic Changes in the Absorption Coefficient of Water at λ = 2.94 μm // IEEE J. on selected topics in quant. electron. 2001. V. 7. № 6. P. 959–970.
2. DeLoach L.D., Page R.H., Wilke G.D., Payne S.A., Krupke W.F. Transition metal-doped zinc chalcogenides: spectroscopy and laserdemonstration of a new class of gain media // IEEE J. of Quant. Electron. 1996. V. 32. № 6. P. 885–895.
3. Eichhorn M. Tm:ZBLAN Fiber Lasers and their Use for Gain-Switched Cr2+:ZnSe Lasers // Conf. on Lasers and Electro-Optics/Quantum Electronics and Laser Science Conference and Photonic Applications Systems Technologies. OSA Technical Digest Series. 2007. Рaper CTuN7.
4. Bowman S.R., Lynn J.G., Searles S.K., Feldman B.J., McMahon J., Whitney W., Epp D. High-averagepower operation of a Q-switched diode-pumped holmium laser// Opt. Lett. 1993. V. 18. № 20. P. 1724–1726.
5. Jensen T., Diening A., Huber G. Investigation of diode-pumped 2.8-μm Er:LiYF4 lasers with various doping levels // Opt. Lett. 1996. V. 21. № 8. P. 585–587.
6. Zajac A., Skorczakowski M., Swiderski J., Nyga P. Electrooptically Q-switched mid-infrared Er:YAG laser for medical applications // Optics Express. 2004. V. 12. № 21. P. 5125–5130. 
7. Жариков Е.В., Ильичев Н.Н., Калитин С.П., Лаптев В.В., Малютин А.А., Осико В.В., Пашинин П.П., Прохоров А.М., Саидов З.С., Смирнов В.А., Умысков А.Ф., Щербаков И.А. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием // Квант. электрон. 1986. Т. 13. № 5. С. 973–979.
8. Каминский А.А., Павлюк А.А., Бутаева Т.И. Исследования стимулированного излучения на допол нительных переходах ионов Ho3+ и Er3+ в кристаллах KGd(WО4)2 // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1977. Т. 13. № 8. С. 1541–1542.
9. Stalder M., Luthy W., Weber H.P. Five new 3-μm laser lines in YAlO3:Er // Opt. Lett. 1987. V. 12. № 8. P. 602–604.
10. Auzel F., Hubert S, Meichenin D. Multifreqenc room-temperature continuous diode and Ar* laser-pumped Er3+ laser emission between 2.66 and 2.85 μm // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. № 8. P. 681–683.
11. Ткачук А.М., Разумова И.К., Мирзаева А.А., Малышев А.В., Гапонцев В.П. Up-конверсия и заселение возбужденных уровней иона эрбия в кристаллах LiY1–xErxF4 (x = 0,003-1) при непрерывной накачке излучением InGaAs-лазерных диодов // Опт. и спектр. 2002. Т. 92. № 1. С. 73–88.
12. Labb´e C., Doualan J.-L., Girard S., Moncorg´e R., Thuau M. Absolute excited state absorption cross section measurements in Er3+:LiYF4 for laser applications around 2.8 μm and 551 nm // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V. 12. P. 6943–6957. 
13. Couto dos Santos M.A., Antic-Fidancev E., Gesland J.Y., Krupa J.C., Lemaˆıtre-Blaise M., Porcher P. Absorption and fluorescence of Er3+-doped LiYF4: measurements and simulation // Journal of Alloys and Compounds. 1998. V. 275–277. P. 435–441.