en
Назад
УДК: 666.22
Создание в государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова метода выращивания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Мусатов М.И. Создание в государственном оптическом институте им. С.И. Вавилова метода выращивания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 2. С. 67–70.
Musatov M.I. The creation of a method of growing large crystals of optical synthetic sapphire at the S. I. Vavilov State Optical Institute [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 2. P. 67–70.
M. I. Musatov, "The creation of a method of growing large crystals of optical synthetic sapphire at the S. I. Vavilov State Optical Institute," Journal of Optical Technology. 76 (2), 107-110 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000107
В статье излагается история создания в Государственном оптическом институте (ГОИ) им. С.И. Вавилова прогрессивного и получившего широкое международное признание метода выращивания крупногабаритных кристаллов оптического лейкосапфира (метод ГОИ), который используется при выращивании почти половины мирового производства крупногабаритных (диаметром до 300 мм) кристаллов. Обсуждены основные особенности "метода ГОИ" - рост кристалла от затравки в направлении стенок ростового тигля без его вращения с экстремально острым фронтом кристаллизации. Обсуждено усовершенствование технологии выращивания лейкосапфира, позволяющее выращивать кристаллы диаметром до 520 мм и весом до 450 кг. Современная технология дает возможность уменьшить габариты ростовых печей и расход электроэнергии в 8 раз.
Коды OCIS: 160.0160
Список источников:1. Термостойкие диэлектрики и их сплавы с металлом в новой технике / Под общей ред. Н.Д. Девяткова. М.: Атомиздат, 1980. С. 39-56, 110-161.
2. Багдасаров Х.С. Высокотемпературная кристаллизация из расплава. М.: Физматлит, 2004. С. 86, 88, 126.
3. Мусатов М.И. Способ выращивания тугоплавких монокристаллов // Патент РФ №2056463. 1996.
4. Тиллер В.А. М.: Металлургия, 1968. С. 284-351.
5. Кокорыш Е.Ю, Шефталь H.H. К вопросу о росте бездислокационных монокристаллов германия // Рост кристаллов. Т. 3. М.: АН СССР, 1961. С. 333-334.
6. Бузыкин А.Н., Блецкан Н.И., Кузнецов Ю.Н., Шефталь H.H. Ростовые дефекты полупроводниковых кристаллов // Тез. 5-го Всесоюзн. совещания по росту кристаллов. Тбилиси, 1977. Т. 2. С. 13-14.
7. Цывинский В. О факторах, определяющих плотность дислокаций при выращивании кристаллов методом Чохральского // Физика металлов и металловедение. 1968. Т. 25. В. 6. С. 1013-1020.
8. Бару В.Г., Хмельницкая Е.М. О рекомбинационных процессах в искусственных монокристаллах РЪБ // ФТТ. 1962. Т. 4. В. 7. С. 1897-1900.
9. Багдасарова Х.С., Добровинская Е.Р. Пищик В.В. О возможности получения совершенных монокристаллов корунда // Рост кристаллов. Ереван: Ереванский ГУ 1977. Т. 12. С. 195-201.
10. Горилецкий В.И. Исследование характера температурного поля в кристаллах, выращенных из расплава // Монокристаллы и техника. Харьков, 1976. С. 1-6.
11. Шефталь H.H. Процессы реального кристаллообразования. М.: Наука, 1977. 233 с.
12. Musatov M. Procиde de cristallogenese et installation pour sa mise en oeuvre, et cristaux obtenus // Патент по заявке 0011315 от 5.09.2000. Inventeur 3, avenue Bugeaud, 75116 Paris. Societe Civile Professionnelle de Conseile en Propriete Industrielle Patent and Trade Mark Attorneys.
13. Мусатов М.И. Способ выращивания тугоплавких микрокристаллов // Патент РФ № 20056463. 1996.
14. Мусатов М.И., Бортовая Т.Е. Высокотемпературный электронагреватель сопротивления // А. с. № 674254. 1979.