Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефно-фазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа

Корешев С.Н., Ратушный В.П. Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефно-фазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 5. С. 47–50.

Koreshev S.N., Ratushniy V.P. How the parasitic-nanostructuring parameters of relief-phase holographic structures on thin glassy-chalcogenide-semiconductor films depend on their relief height [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 5. P. 47–50.

S. N. Koreshev and V. P. Ratushnyĭ, "How the parasitic-nanostructuring parameters of relief-phase holographic structures on thin glassy-chalcogenide-semiconductor films depend on their relief height," Journal of Optical Technology. 76 (5), 286-288 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000286

Приведены результаты экспериментального исследования влияния высоты рельефа отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП), на параметры паразитной наноструктуризации их поверхности. Работа выполнена с помощью сканирующего зондового микроскопа Solver P-47. Установлена коротковолновая граница применимости отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на тонких слоях ХСП без какой-либо апостериорной обработки, равная 80 нм. Начиная с нее, голограммы, характеризующиеся высотой рельефа, оптимальной с точки зрения максимальной дифракционной эффективности, удовлетворяют по параметру среднеквадратичной шероховатости их поверхности σ критериям Марешаля σ ≤ λ/27 и допустимого светорассеяния σ ≤ λ/100 и тем самым обеспечивают в восстановленном с их помощью изображении допустимый для прецизионных оптических систем уровень светорассеяния и аберраций.