УДК: 535.33, 548.0

Механизмы люминесценции слоев оксида цинка, полученных методом изовалентного замещения

Махний В.П., Слетов М.М., Хуснутдинов С.В.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Махний В.П., Слетов М.М., Хуснутдинов С.В. Механизмы люминесценции слоев оксида цинка, полученных методом изовалентного замещения // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 6. С. 59–62.

Makhniy V.P., Sletov M.M., Khusnutdinov S.V. Luminescence mechanisms of zinc oxide layers obtained by isovalent substitution [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 6. P. 59–62.

Ссылка на англоязычную версию:

V. P. Makhniĭ, M. M. Sletov, and S. V. Khusnutdinov, "Luminescence mechanisms of zinc oxide layers obtained by isovalent substitution," Journal of Optical Technology. 76 (6), 364-366 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000364

Аннотация:

Исследованы люминесцентные свойства слоев оксида цинка, полученных термическим отжигом монокристаллических подложек нелегированного селенида цинка на воздухе. Установлено, что спектр фотолюминесценции при 300 K в диапазоне 1,6–3,2 эВ состоит из красной, зеленой, желтой и ультрафиолетовой (УФ) полос. Первые три обусловлены переходами через глубокие уровни, а УФ – межзонной рекомбинацией при взаимодействии носителей с LO-фононами.

Ключевые слова:

оксид цинка, люминесценция, дифференциальные спектры, LO-фононы

Благодарность:

Работа частично поддержана грантом УНТЦ № 3098.

Коды OCIS: 1000.10000, 260.3800

Список источников:

1. Оzgur U., Alivov Ya. I., Liu C., Teke A., Reshchikov M. A., Dog∪an S., Avrutin V., Cho S.-J., Morkoc, H. A Comprehensive Review of ZnO Materials and Devices // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. P. 1–103.
2. Махний В.П., Демич Н.В., Слетов М.М., Слетов А.М. Особенности физических свойств гетерослоев изовалентного замещения широкозонных II–IV соединений // Сб. докл. Междунар. научн. конф. “Актуальные проблемы физики твердого тела”. Минск, 2005. Т. 1. С. 385–387.
3. Махній В.П. Принципи та методи модуляційної спектроскопії. Чернівці: Рута, 2001. 101 с.
4. Makhniy V.P., Slyotov M.M., Stets E.V., Tkachenko I.V., Gorley V.V., Gorley P.P. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination centres parameters // Thin Solid Films. 2004. V. 450. P. 222–225.
5. Махний В.П., Слетов М.М., Слетов А.М., Ткаченко И.В. Влияние сверхстехиометрических компонент на люминесценцию селенида цинка // Изв. ВУЗов. Физика. 2005. № 1. С. 222–225.
6. Физика соединений А2В6 / Под ред. Георгобиани А.Н., Шейнкмана М.К. М.: Наука, 1986. 320 с.
7. Махний В.П., Слетов М.М., Хуснутдинов С.В. Получение слоев ZnO на подложках халькогенидов цинка // Неорганические материалы. 2007. Т. 43. № 12. C. 1449–1451.
8. Калинкин И.П., Муравьева К.К. Электролюминесцирующие пленки / Под ред. Фока М.В. Тарту: Изв. Университета, 1972. С. 7–87.
9. Бутхузи Т.В., Георгобиани А.Н., Зада-Углы Е., Эльтазаров Б.Т., Хулордава Т.Г. Люминесценция монокристаллических слоев окиси цинка n- и p-типа проводимости // Труды ФИАН. 1987. Т. 182. С. 140–187.
10. Копылов А.А., Пихтин А.И. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в фосфиде галлия) // ФТП. 1974. Т. 8. В. 12. С. 2390–2403.
11. Кузьмина И.П., Никитенко В.А. Окись цинка: Получение и оптические свойства. М.: Наука, 1984. 165 с.