УДК: 535-45, 535-92, 535.512
Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Аюпов Б.М., Зарубин И.А., Лабусов В.А., Суляева В.С., Шаяпов В.Р. Поиск первоначального приближения при решении обратных задач в эллипсометрии и спектрофотометрии // Оптический журнал. 2011. Т. 78. № 6. С. 3–9.
Ayupov B.M., Zarubin I.A., Labusov V.A., Sulyaeva V.S., Shayapov V.R. Searching for the starting approximation when solving inverse problems in ellipsometry and spectrophotometry [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2011. V. 78. № 6. P. 3–9.
B. M. Ayupov, I. A. Zarubin, V. A. Labusov, V. S. Sulyaeva, and V. R. Shayapov, "Searching for the starting approximation when solving inverse problems in ellipsometry and spectrophotometry," Journal of Optical Technology. 78(6), 350-354 (2011). https://doi.org/10.1364/JOT.78.000350
Рассмотрен подход к поиску первоначальных условий при решении обратных оптических задач по определению показателей преломления и толщины диэлектрических пленок на подложках. Предлагается использование спектров отражения, полученных при разных углах падения света на образец, из которых по местоположению экстремумов интенсивности вычисляются показатели преломления и толщина пленок. В монохроматической нулевой эллипсометрии измерение параметров поляризации света при разных углах падения позволяет для каждого угла определить показатель преломления и эллипсометрическую толщину. Первоначальное приближение толщины для решения обратной задачи в эллипсометрии на основе данных для всех использованных углов падения света на образец получается из оптической толщины пленки, определенной по спектрам отражения при малых углах падения.
обратные задачи, первоначальное приближение, тонкие пленки, спектрофотометрия, эллипсометрия
Благодарность:Авторы благодарят Президиум РАН (Проект № 6 Программы № 27) за поддержку этой работы.
Коды OCIS: 240.0310, 260.2130, 240.6490, 310.6860
Список источников:1. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981. 583 с.
2. Аюпов Б.М. Выбор моделей для исследования систем диэлектрическая пленка-подложка эллипсометрическим и спектрофотометрическим методами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2000. № 4. С. 59–63.
3. Аюпов Б.М., Девятова С.Ф.,. Ерков В.Г., Семенова Л.А. Профили показателей преломления некоторых термических и CVD оксидных пленок на кремнии // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. № 3. С. 163–168.
4. Kosinova M.L., Fainer N.I., Rumyantsev Yu.M., Maximovski E.A., Kuznetsov F.A., Terauchi M., Shibata K., Satoh F. Growth of homogeneous and gradient BCxNy films by PECVD using trimethylamino borane complex // The Electrochemical Society Proc. V. 2003-08, Chemical Vapor Deposition XVI (CVD-XVI) and EuroCVD 14, 2003. P. 708–715.
5. Лабусов В.А., Путьмаков А.Н., Саушкин М.С., Зарубин И.А., Селюнин Д.О. Многоканальный спектрометр “Колибри-2” и его использование для одновременного определения щелочных и щелочноземельных металлов методом пламенной фотометрии // Зав. лаб. Диагностика материалов. Спец. вып. 2007. Т. 73. С. 35–39.
6. Аюпов Б.М., Лукьянова И.Г. Спектрофотометрическое определение толщин пленок поликристаллического кремния // Электрон. техн. Сер. Материалы. 1981. В. 12(161). С. 59–61.
7. Аюпов Б.М., Козлова Н.А. Обнаружение нарушенного слоя на поверхности кремния посредством метода монохроматической нулевой эллипсометрии // Оптический журнал. 2006. Т. 73. № 3. С. 72–76.
8. Reisman F. Optical thickness measurement of thin transparent films on silicon // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. № 12. P. 3804–3807.
9. Шелпакова И.Р., Юделевич И.Г., Аюпов Б.М. Послойный анализ материалов электронной техники. Новосибирск: Наука, 1984. 178 с.
10. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 855 с.
11. Holmes D.A. On the calculation of thin film refractive index and thickness by ellipsometry // Appl. Opt. 1967. V. 6. № 1. P. 168–169.
12. Yataka Yoriume. Method for numerical inversion of the ellipsometric equation for transparent films // J. Opt. Soc. Am. 1983. V. 73. № 7. P. 888–891.
13. Ржанов А.В., Свиташев К.К., Семененко А.И., Семененко Л.В., Соколов В.К. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979. 424 с.
14. Ayupov Boris, Zherikova Kseniya, Gelfond Nikolai, Morozova Natalia. Optical properties of MOCVD HfO2 films // Phys. Status Solidi A. 2009. V. 206. № 2. P. 281–286.
15. Аюпов Б.М. Модификация гониометра ГС-5 // ПТЭ. 1993. № 5. С. 185–187.