УДК: 535.417; 535.317; 778.38

Предельные возможности интерференционной фотолитографии, реализуемой в видимой области спектра на тонких слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Корешев С.Н., Ратушный В.П. Предельные возможности интерференционной фотолитографии, реализуемой в видимой области спектра на тонких слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 5. С. 40–47.

Koreshev S. N., Ratushnyĭ V. P. The limiting possibilities of interference photolithography implemented in the visible region on thin films of glassy chalcogenide semiconductor [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2012. V. 79. № 5. P. 40–47.

Ссылка на англоязычную версию:

S. N. Koreshev and V. P. Ratushnyĭ, "The limiting possibilities of interference photolithography implemented in the visible region on thin films of glassy chalcogenide semiconductor," Journal of Optical Technology. 79(5), 289-294 (2012).

Аннотация:

Приведены результаты исследования параметров структур (минимального периода следования элементов и скважности), получаемых под действием излучения аргонового лазера на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника, нанесенных на слои рентгеноаморфного хрома. Показано, что экспонируемые излучением с длиной волны 0,488 мкм тонкие пленки трехкомпонентного стеклообразного полупроводника могут быть использованы в методе интерференционной фотолитографии для получения структур с минимальным периодом 260 нм и минимальным размером элемента структуры 65 нм. Установлена возможность уменьшения минимального размера элемента структуры до 50 нм при увеличении периода следования элементов до 600 нм за счет использования “двухмасочной” технологии интерференционной фотолитографии.

Ключевые слова:

интерференционная фотолитография, тонкие пленки, стеклообразный полупроводник

Список источников:

1. Berger V., Gauthier-Lafaye O., Costard E. Fabrication of a 2D photonic bandgap by a holographic method // Electronics letters. 1997. V. 33. № 5. P. 425–426.
2. Campbell M., Sharp D.N., Harrison M.T., Denning R.G., Turberfield A.J. Fabrication of photonic crystals for the visible spectrum by holographic lithography // Nature. 2000. V. 404. P. 53–56.
3. Корешев С.Н., Белых А.В., Ратушный В.П. Голографическая фотолитография на основе тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 7. С. 80–85.
4. Корешев С.Н., Ратушный В.П. Наноструктурирование тонких пленок халькогенидного стеклообразного полупроводника в процессе формирования рельефно-фазовых голограммных структур // Опт. и спектр. 2009. Т. 106. № 2. С. 331–336.
5. Корешев С.Н., Ратушный В.П. Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефнофазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 5. С. 47–50.