УДК: 681.723.26

Метрологическая платформа с модуляционным интерференционным микроскопом

Лопарев А.В., Правдивцев А.В., Игнатьев П.С., Индукаев К.В., Осипов П.А., Ромаш Е.В.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Лопарев А.В., Правдивцев А.В., Игнатьев П.С., Индукаев К.В., Осипов П.А., Ромаш Е.В. Метрологическая платформа с модуляционным интерференционным микроскопом // Оптический журнал. 2012. Т. 79. № 6. С. 72–78.

Loparev A.V., Pravdivtsev A. V., Ignat’ev P.S., Indukaev K.V., Osipov P.A., Romash E.V. Metrologic platform with a modulation interference microscope [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2012. V. 79. № 6. P. 72–78.

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Loparev, E. V. Romash, A. V. Pravdivtsev, P. S. Ignat’ev, K. V. Indukaev, and P. A. Osipov, "Metrologic platform with a modulation interference microscope," Journal of Optical Technology. 79(6), 371-375 (2012). https://doi.org/10.1364/JOT.79.000371

Аннотация:

Приведены результаты разработки уникальной метрологической платформы,
предназначенной для исследования нанодефектов объекта и измерения плоскостности его поверхности на больших площадях. Конструкция платформы основана на согласованном применении метода модуляционной интерференционной микроскопии и бесконтактных аэромагнитных направляющих. Рассмотрены оптическая схема и алгоритм получения панорамных изображений. Показаны перспективы применения метрологической платформы в оптической и полупроводниковой промышленности.

Ключевые слова:

модуляционная интерференционная микроскопия, сверхразрешение, топология интегральных схем, контроль качества

Коды OCIS: 180.3170, 170.1650

Список источников:

1. Noordman O., Tychkov A., Baselmans J., Tsacoyeanes J., Politi G., Patra M., Blahnik V., Maul M. Speckle in optical lithography and the influence on line width roughness // Proc. SPIE. 2009. V. 7274. 72741R.
2. Barysheva M.M., Gribkov B.A., Vainer Yu.A., Zorina M.V., Pestov A.E., Platonov Yu.Ya., Rogachev D.N., Salashchenko N.N., Chkhalo N.I. Problem of roughness detection for supersmooth surfaces // Proc. SPIE. 2011. V. 8076. 80760M-1.
3. Valley J., Poduje N., Sinha J., Judell N., Wu Jie, Boonman M., Tempelaars S., Youri van Dommelen, Kattouw H., Hauschild J., Hughes B., Grabbe A., Stanton L. Approaching New Metrics for Wafer Flatness: An Investigation of the Lithographic Consequences of Wafer Non-Flatness // Proc. SPIE. 2004. V. 5375. P. 1098–1108.
4. Fujisawa T., Inoue S., Hagiwara T. Desirable wafer edge flatness for CD control in photolithography // Optical Microlithography. Proc. SPIE. 2003. V. 5040. P. 600–609.

5. Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1973. 721 c.
6. Андреев В.А., Индукаев К.В., Осипов П.А. Способ определения микрорельефа объекта и оптических свойств приповерхностного слоя, модуляционный интерференционный микроскоп для осуществления способа // Патент России № 2181498. 2002.
7. Andreev V.A., Indukaev K.V., Osipov P.A. Method for measuring the microrelief of an object and optical characteristics of near-surface layer, modulation interference microscope for carrying out said method // Europ. Pat. Appl. 01922153.0-2217, 23.01.2001.
8. Andreev V.A., Indukaev K.V., Osipov P.A. Method for determining an object microrelief and optical properties of a surface layer, a modulation interference microscope for the method realization // USА Pat. № US 7,221,458, B2. 2003.
9. Bennet A.H., Osterberg H., Jupnik H. Phase Microscopy: Principles and Applications. N.Y.: John Wiley & Sons Inc. 1951. 320 p.
10. Andreev V.A., Indukaev K.V., Ioselev O.K., Legkii A., Lazarev G., Orlov D. Phase Modulation Microscope MIM-2.1 for Measurements of Surface Microrelief. Results of Measurements // J. Rus. Laser Research. 2005. V. 26. № 5. P.394–401.
11. Andreev V.A., Indukaev K.V. The Rytov–Vladimirskii Phase and Interferometric Measurements // J. Rus. Laser Research. 2001. V. 22. № 1. P. 1–22.
12. Pancharatnam S. Collected Work of S. Pancharatnam. Ed. G. W. Series. – London: Oxford Univ. Press, 1975.
13. Индукаев К.В., Осипов П.А. Устройство перемещения объекта // Патент России №2385220. 2008.