УДК: 537.533.3

Люминесцентные свойства пористого кремния

Ян Д.Т.

Полный текст «Оптического журнала»

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Ян Д.Т. Люминесцентные свойства пористого кремния // Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 7. С. 21–26.

Yan D.T. Luminescence properties of porous silicon [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2013. V. 80. № 7. P. 21–26.

Ссылка на англоязычную версию:

D. T. Yan, "Luminescence properties of porous silicon," Journal of Optical Technology. 80(7), 421-425 (2013). https://doi.org/10.1364/JOT.80.000421

Аннотация:

Проведено исследование люминесцентных свойств анодно-окисленного пористого кремния различной степени окисления. Рассмотрено влияние лазерного возбуждения и фотостимулированного анодного окисления на интенсивность фотолюминесценции пористого кремния. Предложена модель фотолюминесценции в пористом кремнии.

Ключевые слова:

пористый кремний, фотолюминесценция, рекомбинация

Коды OCIS: 250.0250

Список источников:

1. L. T. Canham, “Visible photoluminescence of porous Si,” Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
2. V. Ranjan, V. A. Singh, and G. C. John, “Effective component for the size dependance of luminescence in semiconductor nanocrystallites,” Phys. Rev. 58, 1158 (1998).
3. J. Zeman, M. Zigone, G. Martinez, G. Rikken, P. Bordet, and J. Chenavas, “On the origin of the porous-silicon luminescence,” Thin Solid Films 255, Nos. 1–2, 35 (1995).
4. G. Amato, L. Boarino, N. Brunetto, A. M. Rossi, and A. Parisini, “Investigation of the nonradiative processes in porous silicon,” Thin Solid Films 276, Nos. 1–2, 51 (1996).
5. M. Cruz, M. R. Beltran, C. Wang, and J. Taguena-Martinez, “Quasi-confinement, localization and optical properties of porous silicon,” Thin Solid Films 297, Nos. 1–2, 261 (1997).
6. D. Dimova-Malinovska, M. Sendova-Vassileva, T. Marinova, V. Krastev, M. Kamenova, and N. Tzenov, “Correlation between the photoluminescence and chemical bonding in porous silicon,” Thin Solid Films 255, Nos. 1–2, 191 (1995).
7. H. Tamura, M. Rückschloss, T. Wirschem, and S. Veprek, “On the possible origin of the photoluminescence from oxidized nanocrystalline silicon,” Thin Solid Films 255, Nos. 1–2, 92 (1995).
8. P. Deák, Z. Hajnal, and J. Miró, “Recombination with larger than band-gap energy at centres on the surface of silicon microstructures,” Thin Solid Films 276, Nos. 1–2, 290 (1996).
9. S. Delerue, G. Allan, and M. Lannoo, “Optical band gap of Si nanoclusters,” J. Lumin. 80, Nos. 1–4, 65 (1998).
10. L. Peter, D. Riley, R. Wielgosz, P. Snow, R. Penty, I. White, and E. Meulenkamp, “Mechanisms of luminescence tuning and quenching in porous silicon,” Thin Solid Films 276, No. 1–2, 123 (1996).
11. P. Galiy, T. Lesiv, L. Monastyrskii, T. Nenchuk, and I. Olenych, “Surface investigations of nanostructured porous silicon,” Thin Solid Films 318, Nos. 1–2, 113 (1998).

12. L. Dorigoni, O. Bisi, F. Bernardini, and S. Ossicini, “The luminescence transition in porous silicon: The nature of the electronic states,” Thin Solid Films 276, Nos. 1–2, 261 (1996).
13. M. Schoisswohl, H. Bardeleben, V. Bratus, and H. Münder, “Defects in luminescent and nonluminescent porous Si,” Thin Solid Films 255, Nos. 1–2, 163 (1995).

14. Журавлев К.С., Кобицкий А.Ю. Рекомбинация автолокализованных экситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния // Физ. и техн. полупроводн. 2001. Т. 34. В. 10. С. 1254-1257.

15. Ян Д.Т. Влияние лазерного возбуждения на фотолюминесценцию анодноокисленного пористого кремния // Оптический журнал. 2010. Т. 77. № 8. С. 67-71.