УДК: 535-4, 535.8

Эллипсометрические исследования природной оксидной пленки на поверхности теллурида кадмия

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Одарич В.А., Евменова А.З., Сизов Ф.Ф. Эллипсометрические исследования природной оксидной пленки на поверхности теллурида кадмия // Оптический журнал. 2013. Т. 80. № 8. С. 63–69.

Odarich V. A., Evmenova A. Z., and Sizov F. F. Ellipsometric studies of the natural oxide film on the surface of cadmium telluride [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2013. V. 80. № 8. Р. 63–69.

Ссылка на англоязычную версию:

V. A. Odarich, A. Z. Evmenova, and F. F. Sizov, "Ellipsometric studies of the natural oxide film on the surface of cadmium telluride," Journal of Optical Technology. 80(8), 515-519 (2013). https://doi.org/10.1364/JOT.80.000515

Аннотация:

Эллипсометрическими измерениями установлено, что процесс взаимодействия скола монокристаллического теллурида кадмия с атмосферным воздухом состоит из двух этапов. В первые 7-10 дней характер изменения измеряемых эллипсометрических параметров соответствует формированию поглощающего слоя толщиной в 1-2 моноатомных слоя. Начиная с 20-х суток, нарастает прозрачная пленка, возможно оксидная, показатель преломления которой близок к 2,2, а толщина увеличивается до 5-6 нм за время окисления до 1 года. Исходя из литературных данных сделано предположение, что внутренняя пленка является слоем свободного теллура, а внешняя образована окислами кадмия или теллура, либо их смесью.

Ключевые слова:

эллипсометрия, природный оксид теллурида кадмия, параметры тонкой пленки

Список источников:

1. Hage-Ali М„ Stuck R., Saxena A.N., Siffert Р. Investigation of CdTe surface by massspectroscopic, ellipso- metric metod // Appl.Phys. 1979. V.19. № 1. P. 25-33.

2. Fritsche J., Gunst S., Golusda E., Lejard M.C., Thiben A., Mayer TKlein A., Wendt R., Gegenwart R., Bonnet D., Jaegermann W. Surface analysis of CdTe thin film solar cells // Thin Solid Films. 2001. V. 387. P.161-164.

3. Kowalski J., Orlowski BA., Ghijsen J. Oxide formation on the CdTe(lll)A (lxl) surface // Appl.Surf.Science. 2000. V. 166. № 1-4. P. 237-241.

4. Muneyoshi Suita, Tsunemasa Taguchi. Thermal oxidation of CdTe surfaces and properties of MOS diodes // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 1989. V. 283. № 2. P. 268-273.

5. Ильчук ГА., Иванов-Омский В.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Бекимбетов Р.Н., Украинец НА. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел-CdTe // ФТП. 2000. Т. 34. № 9. Р. 1099-1104.

6. ToruAoki, VА. Gnatyuk, VА. Odarych, L.V. Poperenko, О.О. Fedosenko. CdTe samples properties by ellipsometric analysis // Proceedings of 7th Internat. Conference on global reaseach and education in new methods in education proceedings. Pech, Hungary. 2008. P. 468-474.

7. Poperenko L.V., Gnatyuk VA., Odarych VA.,Aoki T. Ellipsometric study of the surface of CdTe (111) crystals // Proceedings of internat. Workshop on field emitter and semicondtor mfterials and devices. Reseach Institute of Electronics. Supported by Reasearch Institute of Electronics Shzuooka University. 2010. P. 15-19.

8. Семенова A.3., Одарич BA. Елiпсометричнi дослiдження природної окисної плiвки на поверхнi сколу монокристалiчного телуриду кадмiю // В кн: ‘Матерiали електронної технiки та сучаснi iнформацiйнi технологiї. Третя мiжнародна науково-практична конференцiя. Кременчук, Україна. 2008. С. 121- 122.

9. Евменова А.З., Одарич В А. Особливостi формування природної окисної плiвки на телуридi кадмiю // В кн: "ICPTTFN-XII XII Internat. conference Physics and Technology of thin films and nanosystems. Ivanofrankivsk, Ukraine. 2009. V.2. P. 174-175.

10. Макара BA., Одарич BA., Кепич Т.Ю., Преображенская Т.Д., Руденко O.B. Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2009. № 3(81). С. 40-46.

11. Adachi Sadao, Kimura Toshifumi, Suzuki Norihiro. Optical Properties of CdTe: Experiment and Modeling // Journal of Applied Phys. 1993. V. 74. № 5. P. 3435-3441.

12. EvmenovaA.Z., Odarych VA., Sizov F.F., Vuichyk M.V. Absorptive CdTe-films optical parameters and film thickness determination by ellipsometric method // Optica Applicata. 2008. V. 38. P. 585-600.

13. Bose D.N., Basu S., Mandal K.C. Characterization of chemically modified CdTe surfaces // Thin Solid Films. 1988. V. 164. P. 13-19.

14. Handbook of Optical Constants of Solids // Ed. By Edward D. Palik. Academic Press. 1991. 1096 p.

15. Miotto R., Kiss F.D., Ferraz A.C. Oxigen adsorption on CdTe (111) // Surf. Science. 2003. V. 525. № 1-3. P.24-32.

16. Kiss F.D., Ferraz A.C. The oxidation mechanism of CdTe (111) surface // Brazilian J. of Physics. 2006. V. 36. №2A. P. 291- 293.

17. Физико-химические свойства окислов. Справочник. М., Металлургия. 1978. 471 с.

18. Вол А.Е., Каган И.К. Строение и свойства двойных металлических систем. Т.4. М., Наука. 1979. 574 с.

19. Arshak К., Korostynska О. Gamma radiation dozimetry using tellurium dioxide thin films structures // Sensors. 2002. V. 2. № 8. P. 347-355.

20. Bantus C., Rusu G.G., Dobromir M„ Rusu M. Preparation and characterization of CdO thin films obtained by thermal oxidation of evaporated Cd thin films // Appl. Surff. Science. 2008. V. 255. № 5. P.2665-2670.

21. Choi S.G., Zun Iga-Perez J., Munoz-Sanjjose V., Norman A.G., Perkins C.L., Levi D.H. Complex dielectric function and refractive index spectra of epitaxial CdO thin film grown on r-plane sapphire from 0,74 to 6,45 eV // J.Vac. Sci. Technol. 2010. V. B28. №6. P.1120-1124.