ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group (ранее OSA) под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

УДК: 535.016, 535.15, 535.041.08

Создание и исследование оптических и электрофизических свойств кремниевого нанокомпозита, содержащего силикат висмута

Ссылка для цитирования:

Григорьев Л.В., Михайлов А.В. Создание и исследование оптических и электрофизических свойств кремниевого нанокомпозита, содержащего силикат висмута // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 3. С. 66–70.

 

Grigoriev L.V., Mikhailov A.V. Creating and investigating the optical and electrophysical properties of a silicon nanocomposite that contains bismuth silicate [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 3. P. 66–70.

Ссылка на англоязычную версию:

L. V. Grigor’ev and A. V. Mikhaĭlov, "Creating and investigating the optical and electrophysical properties of a silicon nanocomposite that contains bismuth silicate," Journal of Optical Technology. 83(3), 189-192 (2016). https://doi.org/10.1364/JOT.83.000189

Аннотация:

Представлен новый метод создания кремниевого нанокомпозита, содержащего силикат висмута. Приведены результаты исследования структурных, оптических и электрофизических свойств тонкого слоя окисленного пористого кремния, содержащего силикат висмута. Рентгеноструктурные исследования показали наличие в этом слое фазы силиката висмута. Коэффициент поглощения слоя в диапазоне длин волн от 400 до 900 нм составлял не более 70 см–1. Это позволяет использовать его при создании оптических сенсоров в интегрально-оптическом исполнении и в микроструктурах кремниевой фотоники. Термоактивационные исследования композита в диапазоне температур от 100 до 600 K позволили восстановить функцию энергетического распределения ловушек по энергии активации, необходимую для прогнозирования его оптических свойств.

Ключевые слова:

окисленный пористый кремний, спектр поглощения, силикат висмута

Благодарность:

Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки Российской Федерации (идентификатор ПНИЭР: RFMEFI58114X0006).

Коды OCIS: 250.0250, 300.0300, 310.0310, 160.0160

Список источников:

Красюк Б.А., Семенов О.Г., Шереметьев А.Г., Шестериков В.А. Световодные датчики. М.: Машиностроение, 1990. 250 с.
2. Ребрин Ю.К. Управление оптическим лучом в пространстве. М.: Сов. Радио, 1977. 340 с.
3. Потапов Т.В. Экспериментальное исследование температурной стабильности датчиков магнитного поля на основе кристаллов Bi12SiO20 // ПЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 11. С. 26–33.
4. Григорьев Л.В., Григорьев И.М., Заморянская М.В., Соколов В.И., Сорокин Л.М. Транспортные свойства термически окисленного пористого кремния // ПЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 17. С. 33–41.
5. Orlando A., Rainer W. Science and Technology of Electroceramic thin film. Kluwed Academic Publisher, 1994. 460 p.
6. Клебанский Е.О., Кудзин А.Ю., Пасальский В.М., Пляка С.Н., Соколянский Г.Х. Тонкие золь-гель пленки силиката висмута // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 6. С. 1003–1005.
7. Григорьев Л.В., Нефедов В.Г., Шакин О.В., Михайлов А.В., Елисеев Е.Н. Исследование структурных и оптических свойств тонких пленок оксида цинка, полученных ионно-плазменным методом // Оптический журнал. 2015. Т. 82. № 5. С. 66–70.
8. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. 366 с.
9. Панченко Т.В., Карпова Л.М., Дуда В.М. Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi12SiO20:Cr // ФТТ. 2000. Т. 42. Вып. 4. C. 671–675.
10. Панченко Т.В., Снежной Г.В. Электрически активные дефекты в нелигированных и легированных ионами Al и Ga кристаллах Bi12SiO20 //ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 11. C. 2945–2951.
11. Панченко Т.В., Карпова Л.М. Электрически активные дефекты в нелегированных и легированных ионами Cr и Mn кристаллах Bi12SiO20 // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 3. C. 472–476.
12. Толстик А.Л., Матусевич А.Ю., Кистенева М.Г., Шандаров С.М., Иткин С.Г., Мандель А.Е., Каргин Ю.Ф., Кульчин Ю.Ф., Ромашко Р.В. Спектральная зависимость фотоиндуцированного поглощения, наведенного в кристалле Bi12SiO20 импульсным излучением с длиной волны 532 нм // Квант. электрон. 2007. Т. 37. Вып. 11. С. 1024–1031.
13. Арсенин В.Я., Тихонов А.Н. Численные методы решения некорректных задач. М.: Наука, 1991. 230 с.