ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group (ранее OSA) под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

УДК: 535-45, 535.016

Поляризационные исследования фотоэлектрических свойств систем полупроводниковые соединения АIIВIVС2 V–электролит

Ссылка для цитирования:

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Поляризационные исследования фотоэлектрических свойств систем полупроводниковые соединения АIIВIVС2 V–электролит // Оптический журнал. 2016. Т. 83. № 5. С. 11–15.

 

Rud V.Yu., Rud Yu.V., Terukov E.I. Polarization studies of the photoelectric properties of II–IV–V2-semiconductor-compound–electrolyte systems [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2016. V. 83. № 5. P. 11–15.

Ссылка на англоязычную версию:

V. Yu. Rud’, Yu. V. Rud’, and E. I. Terukov, "Polarization studies of the photoelectric properties of II–IV–V2-semiconductor-compound–electrolyte systems," Journal of Optical Technology. 83(5), 275-278 (2016). https://doi.org/10.1364/JOT.83.000275

Аннотация:

Изучена фоточувствительность контакта тройных полупроводниковых соединений типа АIIВIVС2 V с электролитом в естественном и линейно-поляризованном излучении. Cделан вывод, что высокая фоточувствительность полученных контактов определяется фотоактивным поглощением в кристаллах АIIВIVС2 V . Обнаружена поляризационная фоточувствительность у систем на основе прямозонных полупроводников АIIВIVС2 V с решеткой халькопирита и изучены спектры естественного фотоплеохроизма. С этой целью применен метод поляризационной фотоэлектрической спектроскопии, что позволило сформулировать вывод о перспективности применения контакта анизотропных полупроводников АIIВIVС2 V с электролитом в качестве поляриметрических фотодетекторов.

Ключевые слова:

поляриметрические фотодетекторы, поляризационная фоточувствительность, фотоплеохроизм

Коды OCIS: 040.5150 , 040.5160

Список источников:

1. Рудь Ю.В. Фотоплеохроизм и физические принципы создания полупроводниковых фотодетекторов // Изв. вузов СССР. Физика. 1986. Т. XXIX. № 8. С. 68–83.
2. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Барнаул: Изд-во Алт. ун-та, 2002. 162 с.
3. Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрохимические ячейки H2O/CuIn3Se5: создание и свойства // ЖТФ. 2005. Т. 75. № 3. С. 84–87.
4. Лукьянчикова Н.Б., Пекарь Г.С. Электролюминесцентные и фотоэлектрические свойства структур ZnS-электролит / В кн.: Физика и технические применения полупроводников AIIIBV. Вильнюс, 1983. С. 121–122.
5. Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Светочувствительные свойства структур полупроводник-электролит / В кн.: Проблемы применения полупроводников. Л.: Наука, 1979. С. 5–52.
6. Кесаманлы Ф.П., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Естественный фотоплеохроизм в полупроводниках. Обзор // ФТП. 1996. Т. 30. С. 1921–1942.
7. Рудь В.Ю. Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе // Дис. докт. физ.-мат. н. Ульяновск: УлГУ, 2005. 374 с.
8. Филатов Д.О., Карпович И.А., Шилова М.В., Демиховский В.Я., Хомицкий Д.В. Поляризационная зависимость спектров фототока фотодиодов с барьером Шоттки на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами // Известия АН. Сер. физическая. 2004. Т. 68. С. 98–100.
9. Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalcopyrites semconductors: Growth, electronic properties and applications. Oxford: Pergamon Press, 1955. 1044 p.