ITMO
en/ en

ISSN: 1023-5086

en/

ISSN: 1023-5086

Научно-технический

Оптический журнал

Полнотекстовый перевод журнала на английский язык издаётся Optica Publishing Group (ранее OSA) под названием “Journal of Optical Technology“

Подача статьи Подать статью
Больше информации Назад

УДК: 621.383.45, 621.793.09

Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению

Ссылка для цитирования:

Филатов А.В., Сусов Е.В., Карпов В.В. Образование, природа и отжиг дефектов в гетероэпитаксиальных структурах Cd0,2Hg0,8Te и фоторезисторах, подвергнутых ионному травлению // Оптический журнал. 2017. Т. 84. № 4. С. 67–72.

 

Filatov A.V., Susov E.V., Karpov V.V. Formation, nature, and annealing of defects in Cd0.2Hg0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2017. V. 84. № 4. P. 67–72.

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Filatov, E. V. Susov, and V. V. Karpov, "Formation, nature, and annealing of defects in Cd0.2Hg0.8Te heteroepitaxial structures and photoresistors subjected to ion etching," Journal of Optical Technology. 84(4), 275-280 (2017). https://doi.org/10.1364/JOT.84.000275

Аннотация:

Исследовано образование дефектов в CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2) при травлении ионами аргона (1 кэВ) и их поведение при отжиге. Установлена природа этих дефектов. Методом измерения зависимости вольтовой чувствительности от напряжения смещения фоторезисторов, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdхHg1−хTe (х ≈ 0,2), полученных молекулярно-лучевой эпитаксией, определялась концентрация основных носителей заряда в процессе отжига. Показано, что изменение концентрации основных носителей заряда в процессе отжига определяется диффузией однократно заряженных доноров, являющихся комплексами вакансий ртути с избыточной межузельной ртутью, и коэффициентами диффузии однократно и двукратно заряженных вакансий ртути, концентрация которых определяется равновесными концентрациями точечных дефектов.

Ключевые слова:

гетероэпитаксиальные структуры кадмий-ртуть-теллур, фоторезистор, ионное травление, диффузия вакансий ртути

Благодарность:

Авторы выражают признательность сотрудникам ИФП СО РАН Сидорову Ю.Г., Дворецкому С.А. Михайлову Н.Н. и Варавину В.С. за создание и исследования эпитаксиальных структур КРТ для фоторезисторов.

Коды OCIS: 230.5160, 040.3060, 160.6840

Список источников:

1. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg1−xCdxTe низко-энергетичными ионами // ФТП. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153−1178.
2. Поцяск М, Инжин И.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С., Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdHgTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением // ФТП. 2008. Т. 8. В. 12. С. 1144−1446.
3. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161.
4. Catagnus P.S., Baker C.T. Passivation of mercury cadmium telluride semiconductor surfaces by anodic oxidation // US Patent. 1976. № 3977018.
5. Kinch M.A., Borrello S.R., Simmons A. 0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance // Infrared Phis. 1977. V. 17. № 2. P. 127−135.
6. Siliquini J.F., Fynn K.A., Nener B.D., Faraone L., Hartley R.H. Improved device technology for epitaxial Hg1–хCdхTe infrared photoconductor arrays // Semicond. Sci. Technol. 1994. V. 9. P. 1515−1522.
7. Горшков А.В. Точечные дефекты и примеси в Cd0,2Hg0,8Te // Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 207−214.
8. Belas E., Grill R., Franc J., Moravec P., Vorghova R., Höschl P., Sitter H., Toth A.L. Dynamics of native point defects in H2 and Ar plasmaetched narrow gap (HgCd)Te // J. Cryst. Growth. 2001. V. 224. P. 52−58.
9. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твёрдых растворах. Баку: Азерб. гос. изд-во. 1984. С. 89.
10. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1961. С. 143.