Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв

Швец В.А., Марин Д.В., Кузнецова Л.С., Азаров И.А., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. Анализ морфологии поверхности буферных слоёв CdTe с помощью эллипсометрии и интерференционной профилометрии для создания методики контроля роста буферных слоёв // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58

Shvets V.A., Marin D.V., Kuznetsova L.S., Azarov I.A., Yakushev M.V., Rykhlitskii S.V. Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. Т. 91. № 2. С. 50–58. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-50-58

Vasily A. Shvets, Denis V. Marin, Lada S. Kuznetsova, Ivan A. Azarov, Maxim V. Yakushev, and Sergey V. Rykhlitskii, "Surface morphology analysis of CdTe buffer layers using ellipsometry and interference profilometry to create a technique for monitoring the growth of buffer layers," Journal of Optical Technology. 91(2), 91-95 (2024). https://doi.org/10.1364/JOT.91.000091

Предмет исследования. Альтернативная подложка для роста тройного соединения кадмий-ртуть-теллур, состоящая из кремния с нанесёнными на него слоями CdTe и ZnTe. Цель работы. Построение модели шероховатой поверхности плёнок CdTe для создания методики контроля качества растущих структур. Метод. В качестве методик измерения шероховатости необходимы неразрушающие методы, обладающие достаточным разрешением. Таким условиям удовлетворяют оптические методы исследований. В данный работе были использованы методы эллипсометрии и интерференционной профилометрии. Основные результаты. Исследована шероховатость плёнок CdTe методами эллипсометрии и интерференционной профилометрии. Показано, что эти два метода прекрасно дополняют друг друга и дают более полную картину профиля поверхности, чем каждый по отдельности. Построена двухмасштабная модель шероховатой поверхности буферных слоёв CdTe, которая представляет собой слабо волнистую поверхность с наложенным на неё мелкомасштабным рельефом. Показано, что на эллипсометрические измерения оказывает влияние именно мелкомасштабный рельеф. Это использовано для разработки методики контроля процесса эпитаксиального роста буферных слоёв. Практическая значимость. Полученные в работе результаты исследования шероховатости поверхности плёнок CdTe служат основой для разработки методов контроля параметров слоёв CdTe, пригодных для выращивания высококачественных фоточувствительных структур.