УДК: 621.383.49, 621.793.162

Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И.

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Филатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И. Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 49–54.

Filatov A.V., Susov E.V., Gusarov A.V., Akimova N.M., Krapukhin V.V., Karpov V.V., Shaevich V.I. Long-term stability of photoresistors for the spectral range 8–12μm, fabricated from heteroepitaxial CdHgTe structures obtained by molecular-beam epitaxy [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 49–54.

Ссылка на англоязычную версию:

A. V. Filatov, E. V. Susov, A. V. Gusarov, N. M. Akimova, V. V. Krapukhin, V. V. Karpov, and V. I. Shaevich, "Long-term stability of photoresistors for the spectral range 8–12μm, fabricated from heteroepitaxial CdHgTe structures obtained by molecular-beam epitaxy," Journal of Optical Technology. 76 (12), 773-776 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000773

Аннотация:

Разработана технология изготовления высокостабильных фоторезисторов для диапазона спектра 8–12 мкм из гетероэпитаксиальных структур твердого раствора CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке из арсенида галлия. Исследована стабильность фотоэлектрических параметров многоэлементных фоторезисторов длительным прогревом при повышенных температурах (65–85 °С). Фоторезисторы имели обнаружительную способность, ограниченную шумами фонового излучения. Показано, что главной причиной деградации фоточувствительного элемента фоторезистора является диффузия вакансий ртути с фронтальной и боковых поверхностей. Устранение причин возникновения вакансий и создание защитных покрытий поверхностей позволяют обеспечить стабильность фоторезисторов в течение 2500 ч при 70 °С.

Ключевые слова:

ИК техника, гетероэпитаксиальные структуры CdHgTe, технология фоторезисторов, стабильность параметров

Коды OCIS: 040.1240, 040.3060

Список источников:

1. Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.М. Модифицирование свойств Hg1–хCdхTe низкоэнергетичными ионами. Обзор // Физика и техника полупроводников. 2003. Т. 37. В. 10. С. 1153–1178.
2. Susov E.V., Sidorov Yu.G., Severtsev V.N., Komov A.A., Chekanova G.V., Dvoretsky S.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N. and Diakonov L.I. Multielement cooled photoconductor based on CdHgTe heteroepitaxial structures // Optoelectronics, instrumentation and data processing (Avtometriya). 1996. № 4. Р. 32–36.
3. Северцев В.Н., Сусов Е.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Чеканова Г.В. 128-элементный охлаждаемый фотоприемник на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe // Автометрия. 1998. № 4. С. 21–26.
4. Трошкин Ю.С., Филатов А.В., Алексеевичева В.С., Гусаров А.В., Коршунова А.П., Поповян Г.Э., Посевин О.П. Вакуумные фотоприемники для диапазона 8–12 мкм на основе фоторезисторов из CdHgTe // Прикладная физика. 1999. № 2. С. 63–69.
5. Филатов А.В., Лукша В.И., Поповян Г.Э., Трошкин Ю.С., Шаронов Ю.П. Влияние режимов ионного травления на параметры фоторезисторов из CdHgTe // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 123–128.
6. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I., Mikhailov N.N., Sidorov Yu.G. Molecular beam epitaxy of high quality Hg1–хCdхTe films with control of the composition distribution // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161–1166.
7. Болтакс Б.И. Диффузия в полупроводниках // М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит. 1961. С. 143.
8. Заитов Ф.А., Исаев Ф.К., Горшков А.В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах // Баку: Азерб. гос. изд-во, 1984. С. 89.