Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12.
Предисловие выпускающего редактора
Шлишевский В.Б.
Технология материалов и элементная база инфракрасной фотоэлектроникиФизическая оптика
Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Асеев А.Л., Князев Б.А., Кулипанов Г.Н., Винокуров Н.А.
Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазоновКлимов А.Э., Шумский В.Н.
Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективыКостюков Е.В., Маклаков А.М., Скрылев А.С.
Семейство крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с разрешением 38,5 пар лин/ммЗавадский Ю.И., Скрылев А.С., Хотянов Б.М., Чернокожин В.В.
Фотоприемник длинноволнового инфракрасного диапазона с аналоговым режимом временной задержки и накопленияВасильев В.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Рева В.П., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сизов Ф.Ф., Сусляков А.О., Асеев А.Л.
Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопленияВасильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Предеин А.В., Ремесник В.Г., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сусляков А.О.
Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтромАндреева Е.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Цибрий З.Ф., Сизов Ф.Ф.
Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкмФилатов А.В., Сусов Е.В., Гусаров А.В., Акимова Н.М., Крапухин В.В., Карпов В.В., Шаевич В.И.
Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксииЯкушев М.В., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Сидоров Ю.Г., Фомин Б.И., Асеев А.Л.
Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполненииКлименко А.Г., Недосекина Т.Н., Карнаева Н.В., Марчишин И.В., Новоселов А.Р., Овсюк В.Н., Есаев Д.Г.
Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприемных модулей на индиевых микростолбахДворецкий С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Швец В.А., Wittmann B., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Асеев А.Л.
Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемниковЖуравлёв К.С., Мансуров В.Г., Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Tronc P.
Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN-квантовых точкахВойтов В.А., Голицын А.В., Дегтярев Е.В., Журавлев П.В., Журов Г.Е., Шлишевский В.Б.
Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюденияАлеев Р.М., Фофанов В.Б.
Использование сегментации для автоматизации дешифрирования многоспектральных изображенийИнформация
Алфавитный указатель авторов статей, опубликованных в “Оптическом журнале”, том 76, 2009 год
en