Исследование ионной имплантации в условиях струйного диафрагменного разряда в вакууме

Калашников Е.В., Калашникова С.Н. Исследование ионной имплантации в условиях струйного диафрагменного разряда в вакууме // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 9. С. 76–81.

Kalashnikov E.V., Kalashnikova S.N. Study of ion implantation under conditions of a jet diaphragm discharge in vacuum [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 9. P. 76–81.

E. V. Kalashnikov and S. N. Kalashnikova, "Study of ion implantation under conditions of a jet diaphragm discharge in vacuum," Journal of Optical Technology. 76 (9), 582-585 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000582

Описан способ получения тонких слоев материала путем ионного легирования предварительно очищенной подложки в условиях струйного диафрагменного разряда в вакууме в магнитогазодинамическом режиме с электромагнитным способом ускорения полученных продуктов разряда. В качестве примера рассмотрена имплантация ионов углерода и фтора в поверхностный слой подложки из монокристаллического кремния с энергией ионов Еi = 37,4 кэВ. На основании анализа рентгеноэлектронных спектров показано, что легированный слой содержит помимо химических элементов из состава материала подложки (кремний Si 2p с энергией связи 99,5 эВ) химические элементы из плазмообразующего материала диафрагмы (углерод С 1s с энергией связи 285 эВ и фтор F 1s c энергией связи 686 эВ) с плавным уменьшением их атомной концентрации при увеличении расстояния от поверхности.