Back
Zhuravlev,
Konstantin
S.
Dr. Sc. (Physics and Mathematics)
| Affiliation |
| Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of RAS, Novosibirsk, Russia |
|
E-mail: zhur@isp.nsc.ru
ScopusID: 7005806378
ORCID: 0000-0002-3171-5098
Articles
|
Гензе И.Ю., Аксенов М.С, Парамонова М.А., Дмитриев Д.В., Журавлёв К.С. Влияние условий формирования и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки // Оптический журнал. 2024. Т. 91. № 2. С. 34–39. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-34-39
Genze I.Yu., Aksenov M.S., Paramonova M.A., Dmitriev D.V., Zhuravlev K.S. Influence of formation conditions and annealing on the parameters of Pt/InAlAs Schottky barriers [In Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2024. V. 91. № 2. P. 34–39. http://doi.org/10.17586/1023-5086-2024-91-02-34-39
|
Abstract
|
|
Журавлев К.С., Мансуров В.Г., Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Tronc P. Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN-квантовых точках // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 12. С. 74–83.
Zhuravlev K.S., Mansurov V.G., Grinyaev S.N., Karavaev G.F., Tronc P. Materials for photodetectors based on intersubband transitions in GaN∕AlGaN quantum dots [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 12. P. 74–83.
|
Abstract
|
