Лазерное импульсное микроструктурирование поверхности кремния

Либенсон М.Н., Шандыбина Г.Д. Лазерное импульсное микроструктурирование поверхности кремния // Оптический журнал. 2004. Т.71. №8 С. 9-13.

Libenson M.N., Shandybina G.D. Laser-pulse microstructuring of a silicon surface [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2004. V. 71. No 8. P. 9-13.

Libenson M.N., Shandybina G.D. Laser-pulse microstructuring of a silicon surface // Journal of Optical Technology. 2004. V. 71. № 8. P. 500-503. https://doi.org/10.1364/JOT.71.000500

Лазерное микроструктурирование поверхности кремния, как правило, происходит в результатеразвития неустойчивостей и эффектов самоорганизации. В работе показано, что это многостадийный процесс, представляющий собой последовательные быстрые переходы системы из одних квазистационарных состояний в другие. Предлагается следующая классификация наблюдаемых изменений: “спонтанные”- скачкообразные переходы, случайно распределенные в пространстве и носящие характер пространственно-частотного шума, и “вынужденные” переходы, связанные с действием определенных сил и с определенными пространственно выделенными направлениями. Последние либо заложены в строении самой системы и проявляются в сильно неравновесном состоянии, либо обусловлены распределением электромагнитного поля, строением плазменного облака и др. Проведенный анализ показал, что за формирование поверхностных структур с наименьшим периодом ответственны именно “вынужденные” превращения. Предложенная классификация позволила объяснить с единой точки зрения разброс экспериментальных данных в миллисекундном диапазоне воздействий, выделить главные этапы при облучении наносекундными импульсами и выдвинуть гипотезу фемтосекундного механизма микроструктурирования поверхности.