Нелинейный режим реверсивной записи голограмм на структурах фотопроводник-жидкий кристалл с высокой чувствительностью к излучению He-Ne-лазера

Амосова Л.П., Плетнева Н.И., Чайка А.Н. Нелинейный режим реверсивной записи голограмм на структурах фотопроводник-жидкий кристалл с высокой чувствительностью к излучению He-Ne-лазера // Оптический журнал. 2005. Т.72. №6 С. 57-62.

Amosova L.P., Pletneva N.I., Chaǐka A.N. Nonlinear regime of the reversible recording of holograms on photoconductor-liquid-crystal structures with high sensitivity to He-Ne laser radiation [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 6. P. 57-62.

Amosova L.P., Pletneva N.I., Chaǐka A.N. Nonlinear regime of the reversible recording of holograms on photoconductor-liquid-crystal structures with high sensitivity to He-Ne laser radiation // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 6. P. 469-473. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000469

Проведено сравнительное исследование двух типов оптически управляемых структур с модулирующим жидкокристаллическим слоем и стибнитом (Sb₂S₃) или селенидом мышьяка (As₄₀Se₆₀) в качестве фотопроводника. Показано, что в режиме реверсивной записи тонких голограмм удалось получить дифракционную эффективность до 42%, а использование фотопроводникового слоя c максимумом спектральной чувствительности, близким к длине волны излучения Не-Ne-лазера, обеспечило чувствительность 0,75 мкВт/см² на длине волны записи λ=633 нм. Для рассмотренных структур характерно наличие убывающего участка модуляционной характеристики со спадом дифракционной эффективности до уровня 0,05η_max (фотопроводниковый слой Sb₂S₃) и 0,05η_max (фотопроводниковый слой As₄₀Se₆₀), благодаря чему они могут быть использованы в голографических корреляционных системах для реализации нелинейных алгоритмов обработки информации.