Управляемое электрическим полем рассеяние света в сегнетоэлектрических жидких кристаллах

Андреев А.Л., Бобылев Ю.П., Губасарян Н.А., Компанец И.Н., Пожидаев Е.П. Федосенкова Т.Б., Шошин В.М., Шумкина Ю.П. Управляемое электрическим полем рассеяние света в сегнетоэлектрических жидких кристаллах // Оптический журнал. 2005. Т.72. №9 С. 58-65.

Andreev A.L., Bobylev Yu.P., Gubasaryan N.A., Kompanets I.N., Pozhidaev E.P., Fedosenkova T.B., Shoshin V.M., Shumkina Yu.P. Electric-field-controlled light scattering in ferroelectric liquid crystals [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2005. V. 72. No 9. P. 58-65.

Andreev A.L., Bobylev Yu.P., Gubasaryan N.A., Kompanets I.N., Pozhidaev E.P., Fedosenkova T.B., Shoshin V.M., Shumkina Yu.P. Electric-field-controlled light scattering in ferroelectric liquid crystals // Journal of Optical Technology. 2005. V. 72. № 9. P. 701-707. https://doi.org/10.1364/JOT.72.000701

Впервые изучены физические механизмы и режимы светорассеяния в монодоменных слоях сегнетоэлектрических жидких кристаллов (СЖК) применительно к модуляторам света, предназначенным для использования в многослойном объемном экране трехмерного дисплея. Для различных составов СЖК-композиций, граничных условий и режимов импульсного управления СЖК-модулятором обнаружено несколько типов рассеяния света. При рассеянии света на переходных доменах в негеликоидальных СЖК минимальное суммарное время его включения и выключения биполярными импульсами с амплитудой 50 В составляет около 130 мкс, а в геликоидальных СЖК не превышает 500 мкс; при бистабильном рассеянии света на сегнетоэлектрических доменах в негеликоидальных СЖК это время приближается к 250 мкс. Результаты свидетельствуют о возможности создания на основе рассмотренных СЖК-модуляторов объемных экранов глубиной в 30-100 сечений.