УДК: 543.42:54.16
Влияние пластической деформации на межзонные и внутризонные оптические переходы в кристаллах германия
Полный текст «Оптического журнала»
Полный текст на elibrary.ru
Публикация в Journal of Optical Technology
Рошак Е.Н., Ширшнев П.С., Пржевуский А.К. Влияние пластической деформации на межзонные и внутризонные оптические переходы в кристаллах германия // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 11. С. 7–11.
Roshak E.N., Shieshnev P.S., Przhevuskiy A.K. The effect of plastic strain on interband and intraband optical transitions in germanium crystals [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2007. V. 74. № 11. P. 7–11.
E. N. Roshak, P. S. Shirshnev, and A. K. Przhevuskiĭ, "The effect of plastic strain on interband and intraband optical transitions in germanium crystals," Journal of Optical Technology. 74 (11), 726-729 (2007). https://doi.org/10.1364/JOT.74.000726
Показано, что в кристаллах германия спектр поглощения в области 1,6-15 мкм, возникающий из-за пластической деформации, в основном определяется двумя параметрами: исходной концентрацией носителей и степенью пластической деформации. Однозначная связь величины поглощения свободными носителями с электрическими параметрами выполняется только в случае не слишком большой степени деформации (< 6%).
Коды OCIS: 160.4760
Список источников:1. Маколкина Е.Н., Пржевуский А.К. Влияние структурных дефектов на оптические свойства кристаллов германия // Оптический журнал. 2003. Т. 70. № 11. С. 64-67.
2. Пржевуский А.К., Маколкина Е.Н. Влияние пластической деформации на спектр поглощения кристаллов германия // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 2. С. 73-77.
3. Bishop P.J., Gibson A.F. Absorption coefficient of germanium at 10,6 mkm // Appl. Opt. 1973. V. 12. P. 2549-2550.
4. Capron E.D., Brill O.L. Absorption coefficient as a function of resistance for optical germanium at 10,6 mkm // Appl. Opt. 1973. V. 12. P. 569-572.
5. Lipson H.G., Burstein E., Smith P.L. Optical properties of Plastically Deformed Germanium // Phys. Rev. 1955. V. 99. P. 444-445.
6. Каплунов И.А., Колесников А.И. Влияние характеристик германия на рассеяние ИК излучения // Поверхность. 2002. № 2. С. 14-19.
7. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.
8. Осипьян Ю. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. М.: Эдиториал УРСС, 2000. 320 с.
9. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 464 с.
10. Каплунов И.А., Колесников А.И., Талызин И.В., Седова Л.В., Шайович С.Л. Измерение коэффициентов ослабления света кристаллами германия и парателлурита // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 7. С. 76-80.
11. Каплунов И.А., Колесников А.И., Шайович С.Л. Рассеяние света монокристаллами парателлурита и германия // Оптический журнал. 2005. Т. 72. № 3. С. 51-54.
en