УДК: 621.315.592

Материалы для ИК приемников излучения, альтернативные CdHgTe

Полный текст на elibrary.ru

Публикация в Journal of Optical Technology

Ссылка для цитирования:

Несмелова И.М., Андреев В.А. Материалы для ИК приемников излучения, альтернативные CdHgTe // Оптический журнал. 2007. Т. 74. № 3. С. 82–90.

Nesmelova I.M., Andreev V.A. Infrared detector materials alternative to CdHgTe [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2007. V. 74. № 3. P. 82–90.

Ссылка на англоязычную версию:

I. M. Nesmelova and V. A. Andreev, "Infrared detector materials alternative to CdHgTe," Journal of Optical Technology. 74 (3), 217-223 (2007). https://doi.org/10.1364/JOT.74.0000217

Аннотация:

В обзоре рассмотрены электрофизические свойства материалов, обладающих более стабильными временными и температурными параметрами по сравнению с тройным твердым раствором CdHgTe. Представлены основные свойства твердого раствора ZnHgTe, полумагнитного твердого раствора MnHgTe, новых четырех- и пятикомпонентных систем, а также материала на основе квантово-размерных эффектов.

Коды OCIS: 160.1890

Список источников:

1. Рабинович В.А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Ленингр. отд.: Химия, 1978. 392 с.

2. Отчет о научно-исследовательской работе № 631. Исследование энергетических состояний вакансий и определение их роли в искажениях кристаллической решетки монокристаллов А2В6 // ВНТИЦентр, 1990. 62 с.

3. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 558 с.

4. Sher A., Chen A.B., Spicer W.E., Shih C.K. Effects influencing the structural integrity of semiconductors and their alloys // J. Vac. Sci. Technol. 1985. A 3(1). P. 105- 111.

5. Wall A., Caprile C., Franciosi A. et al. New ternary semiconductors for infrared applications: Hg1 -xMnxTe // J. Vac. Sci. Technol. 1986. A 4(3). P. 818-822.

6. Дейбук В.Г., Дремлюженко С.Г., Остапов С.Э. Термодинамическая устойчивость объемных и эпитаксиальных твердых растворов CdHgTe, ZnHgTe, MnHgTe // ФТП. 2005. Т. 39, В. 10. С. 1153-1158.

7. Jozwikowski K., Rogalski A. Intrinsic carrier concentrations and effective masses in the potential infrared detector material, Hg1-xZnxTe // Infrared Phys. 1988. Vol. 28, N 2. P. 101-107.

8. Kaniewski J., Mycielski A. Optical absortion in Hg1 -xMnxTe x < 0,2 mixed crystals // Sol. St. Commun. 1982. Vol. 41, N 12. P. 959-962.

9. Schmit J.L., Stelzer E.L. Temperature and alloy compositional dependences of the energy gap of Hg1 - xCdxTe // J. Appl. Phys. 1969. Vol. 40, N 1. P. 4865-4869.

10. Рогальский А. Инфракрасные детекторы. Пер. с англ. / Под ред. проф. Войцеховского А.В. Новосибирск: Наука, 2003. 636 с.

11. Triboulet R. (HgZn)Te: a new material for IR detection // J. Cryst. Growth. 1988. Vol. 86, N 1-4. P. 79-86.

12. Гирич Б.Г., Лакеенков В.М. Новые материалы для оптоэлектроники и тепловидения (Обзор) // Реферативный сборник ВИНИТИ. Серия. Новые материалы. 1999. В. 9. С. 1-37.

13. Furdyna J.K. Diluted magnetic semiconductors // J. Appl. Phys. Vol. 64, N 4. P. P29-P64.

14. Becla P. Infrared photovoltaic detectors utilizing Hg1-xMnxTe and Hg1 -x - yCdxMnyTe alloys // J. Vac. Sci. Technol. 1986. Vol. A4. P. 2014-2018.

15. Rogalski A. Hg1 - xMnxTe as new infrared detector material // Infrared Phys. 1991. Vol. 31, N 2. P. 117-166.

16. Ляпилин И.И., Цидильковский И.М. Узкощелевые полумагнитные полупроводники // УФН. 1985. Т. 146, В. 1. С. 35-72.

17. Каленик В.И., Пустыльник О.Д., Раренко М.И., Шафранюк В.П. Кристаллическая структура и электрофизические параметры кристаллов // Неорг. материалы. 1992. Т. 28, № 2. С. 335-339.

18. Боднарук О.А., Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Раренко М.И. Концентрация собственных носителей и эффективная масса электронов в MnxHg1 - xTe // ФТП. 1992. Т. 26, № 3. С. 468-472.

19. Несмелова И.М., Барышев Н.С., Ибрагимова М.И. и др. Электрические, оптические и магнитные свойства перспективных полумагнитных полупроводников теллурида марганца-теллурида ртути // Оптический журнал. 2002. Т. 69, № 12. С. 76-80.

20. Baranskii P.I., Gorodnichii O.P., Shevchenko N.V. IR optical absorption and reflection spectra in narrow gap semiconductors // Infrared Phys. 1990. Vol. 30, N 3. С. 259-263.

21. Несмелова И.М., Лаврентьева И.М., Барышев Н.С., Цицина Н.П. Показатель преломления монокристаллов MnxHg1 - xTe // ЖПС. 1996. Т. 63. С. 510-511.

22. Петрова О.А., Зоншайн Е.М., Паславский В.В., Несмелова И.М. Спектры электроотражения монокристаллов MnxHg1 - xTe - нового материала ИК техники // Оптический журнал. 1993. № 9. С. 62-64.

23. Несмелова И.М., Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Петухов В.Ю. Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов MnxHg1 -xTe // ФНТ. 2004. Т. 30, № 11. С. 1203-1208.

24. Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Алеева Н.В. и др. Формирование фотодиодных структур в монокристаллах марганец-ртуть-теллур // Оптический журнал. 2002. Т. 69, № 12. С. 60-63.

25. Беговатов В.Е., Барышев Н.С., Белый Н.Н. и др. Рекомбинационные процессы в р-MnxHg1 -xTe с х ~ 0,1 // ФТП. 1989. Т. 23, В. 11. С. 2074-2076.

26. Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э. и др. Электрические свойства диодов Шоттки на основе узкозонного HgMnTe // ФТП. 2002. Т. 36, В. 10. С. 1217- 1224.

27. Косяченко Л.А., Остапов С.Э., Сун Вейгуа. Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe // ФТП. 2000. Т. 34, В. 6. С. 695-697.

28. Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко М.И. Генерационно-рекомбинационные и диффузионные токи в n -р-переходах HgMnTe // ФТП. 2001. Т. 35, В. 11. С. 1326-1334.

29. Несмелова И.М., Рыжков В.Н., Андреев В.А. и др. Влияние низкотемпературного отжига на электрические и структурные характеристики эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур и марганец-ртуть-теллур // Прикладная физика. 2005. № 6. С. 125-128.

30. Nesmelova I.M., Ryzhkov V.N., Gumarov G.G. et al. The effect of the low-temperature annealing on the electrical and structural properties of epitaxial layers - CMT and MMT // Proc. SPIE. 2005. Vol. 5834. P. 269-273.

31. Рыжков В.Н., Алеева Н.В., Гумаров Г.Г. и др. Влияние защитных анодных покрытий на химико-механическую устойчивость эпитаксиальных слоев тройных твердых растворов кадмий-ртуть-теллур, марганец- ртуть-теллур // Тез. докл. ХIХ Международной научн.-техн. конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 2006. С. 48.

32. Горбатюк И.Н., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко М.И. HgCdMnZnTe: новая альтернатива HgCdTe // ФТП. 2004. Т. 38, № 12. С. 1414-1418.

33. Боднарук О.А., Марков А.В., Остапов С.Э. и др. Ширина запрещенной зоны и концентрация свободных носителей в HgCdMnTe и HgCdZnTe // ФТП. 2000. Т. 34, В. 4. С. 430-432.

34. Bashenov N.V., Andrukhiv A.M., Ivanov-Omskii V.I. Carrier lifetime in ZnxCdyHg1 - x- yTe: calculation and experiment // Infrared Phys. 1993. Vol. 34, N 4. P. 357-364.

35. Gorbatyuk I.M., Ostapov S.E., Rarenko I.M. HgCdMnZnTe: the new material for IR photoelectronics // J. Alloys and Compounds. 2004. Vol. 371(1-2). P. 114-117.

36. Горбатюк И.Н., Остапов С.Э., Дремлюженко С.Г. и др. Исследование физических свойств HgCdMnZnTe как нового материала ИК оптоэлектроники // ФТП. 2005. Т. 39, № 9. C. 1053-1058.

37. Никольский Ю.А., Зюзин С.Е. Электропроводность пленок InSb в сильных электрических полях // ФТП. 2001. Т. 35, В. 2. С. 182-183.

38. Барышев Н.С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. Казань: Унипресс, 2000. 433 с.

39. Тарасов В.В., Якушенков Ю.Г. Инфракрасные системы "смотрящего" типа. М.: Логос, 2004. 443 с.

40. Шашкин В.И., Данильчев В.М., Дроздов М.Н. и др. ИК фотопроводимость в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми точками // Тез. докл. ХIХ Международной научн.-техн. конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 2006. С. 67.

41. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т. 32, № 1. С. 3-18.

42. Ерофейчев В.Г. Инфракрасные фокальные матрицы // Оптический журнал. 1995. Т. 62, № 2. С. 3-17.