Модификация структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения

Лесик М.А., Аверина А.В., Шимко А.А., Маньшина А.А. Модификация структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 1. С. 57–60.

Lesik M.A., Averina A.V., Shimko A.A., Manshina A.A. Structural modification of glassy chalcogenide semiconductors under the action of femtosecond laser radiation [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 1. P. 57–60.

M. A. Lesik, A. V. Averina, A. A. Shimko, and A. A. Man’shina, "Structural modification of glassy chalcogenide semiconductors under the action of femtosecond laser radiation," Journal of Optical Technology. 76 (1), 48-50 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000048

В работе исследовались структурные изменения, индуцированные лазерным излучением с длиной волны л = 800 нм, длительностью импульса ф = 100 фс и частотой повторения f = 80 МГц в объемных образцах стеклообразных полупроводников. В результате работы были созданы волно-водные структуры в стеклах As₂S₃ и 0,15(Ga₂S₃)-0,85(GeS₂):Er³⁺ (C(Er³⁺) = 1,2 ат%) при различных условиях лазерного воздействия (способ записи, скорость и количество сканирований). Структурные изменения, индуцированные фемтосекундным лазерным излучением, в образце стекла As₂S₃ были исследованы методом комбинационного рассеяния.