Эффективный электрооптический модулятор для лазерного луча, отраженного от p-n перехода германиевого транзистора

Савин Е.З. Эффективный электрооптический модулятор для лазерного луча, отраженного от p-n перехода германиевого транзистора // Оптический журнал. 2009. Т. 76. № 7. С. 77–78.

Savin E.Z. Efficient electrooptic modulator for a laser beam reflected from the p–n junction of a germanium transistor [in Russian] // Opticheskii Zhurnal. 2009. V. 76. № 7. P. 77–78.

E. Z. Savin, "Efficient electrooptic modulator for a laser beam reflected from the p–n junction of a germanium transistor," Journal of Optical Technology. 76 (7), 435-435 (2009). https://doi.org/10.1364/JOT.76.000435

Приведены характеристики электрооптического модулятора в тональной области частот для излучения, отраженного от p-n перехода германиевого транзистора, работающего в режиме усиления. Модулятор может быть эффективно использован в волоконно-оптической связи, оптических приборах квантовой электроники, устройствах записи, хранения и обработки оптической информации.